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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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科雅MPB 105J450V薄膜電容用于煊陽100W氮化鎵桌面充電器
煊陽科技是一家在電子產(chǎn)品制造和研發(fā)領(lǐng)域具有顯著影響力的企業(yè)。該公司一直專注于開關(guān)電源、適配器、充電器、LED驅(qū)動器的開發(fā)、制造與銷售。
2024-03-07 標(biāo)簽:充電器led驅(qū)動器氮化鎵 1019 0
德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列
采用熱增強(qiáng)封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級,可將解決方案尺寸縮小 40% 以上,提高功率效率,并將開關(guān)損耗降低 50%。
2024-03-06 標(biāo)簽:變壓器德州儀器功率轉(zhuǎn)換器 825 0
納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績
第四季度收入達(dá)2,610萬美元,同比增長111%,環(huán)比增長19%
PI宣布推出InnoMux-2系列單級獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC
PI今日宣布推出InnoMux-2系列單級獨(dú)立穩(wěn)壓的多路輸出離線式電源IC。InnoMux-2 IC將AC-DC和后級DC-DC變換級整合到單個芯片中,...
半導(dǎo)體設(shè)備廠商邑文科技開啟上市輔導(dǎo)
近日,證監(jiān)會公開披露了無錫邑文微電子科技股份有限公司(簡稱“邑文科技”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。海通證券已經(jīng)與邑文科技簽訂了相關(guān)的上市輔導(dǎo)...
機(jī)械革命無界14 Pro銳龍版即將上市,配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡
在屏幕方面,新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏,像素達(dá)到了2880*1800,且具有400nit的光照度(典型值)與100%的sR...
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NV...
納微十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè),納微半導(dǎo)體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1153 0
2月20日消息,據(jù)外媒報道,當(dāng)?shù)貢r間周一,美國政府表示,作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴(kuò)大...
韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營利潤雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎金,鼓勵團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭奪日...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案,覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓?fù)浼軜?gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等,電路設(shè)計(jì)復(fù)雜,成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片,一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能,不僅使...
納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
納微半導(dǎo)體,作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動電動汽車電源...
2024-01-30 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1274 0
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對市場挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
近日,美國一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉,該企業(yè)還有一個晶圓廠,總投資超過10億人民幣,而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū),倒閉原因是什么?
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ:POWI)這家節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的高壓積體電路(IC)的領(lǐng)導(dǎo)廠商今日宣布為該公司的InnoSwitch...
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露,實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括:1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開始的。自手機(jī)快充功能在市場上迅速普及,經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...
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