氮化鎵基Micro LED新突破可實(shí)現(xiàn)更高顯示分辨率與調(diào)制速率

氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見光通信等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED，Micr...

2023-02-01 標(biāo)簽：氮化鎵光通信發(fā)光器件 1061 0

GaN如何在電子工程行業(yè)掀起一場革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。

2023-01-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 404 0

氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用

了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？

2023-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 1704 0

下一代無線通信的氮化鎵功率放大器

下一代無線通信的氮化鎵功率放大器

2022-12-22 標(biāo)簽：功率放大器無線通信氮化鎵 597 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 1.4萬 0

氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3373 0

炸管，探頭也被燒壞了？

在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時，都需要對其驅(qū)動波形進(jìn)行測試，這時大多數(shù)工程...

2022-12-09 標(biāo)簽：功率器件探頭氮化鎵 1350 0

氮化鎵半導(dǎo)體的興起！

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...

2022-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1936 0

中國采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無線輸電

氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。

2022-12-08 標(biāo)簽：氮化鎵無線輸電 3052 0

6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析

制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。

2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 2927 0

GaN高功率整流器的設(shè)計 氮化鎵整流器的電氣特性

報告內(nèi)容包含： 動機(jī) 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標(biāo)簽：整流器氮化鎵GaN 589 0

影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些

MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場景的...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵Micro LEDAR眼鏡 902 0

淺析氮化鎵器件驅(qū)動設(shè)計技術(shù)

　　Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 　　驅(qū)動電源-常規(guī)雙極驅(qū)動程序 　　GaN GIT （G...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動電源 809 0

氮化鎵器件的性能優(yōu)勢

? ? ? 審核編輯：彭靜

2022-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵 866 0

“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案

當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動性和極端操作環(huán)境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1119 0

碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用

在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。

2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1694 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 5600 0

Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)

兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。

2022-09-16 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1361 0