氮化鎵器件的性能優(yōu)勢(shì)
審核編輯：彭靜
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1794瀏覽量
118017
原文標(biāo)題：【半導(dǎo)光電】氮化鎵器件應(yīng)用與集成化技術(shù)詳解
文章出處：【微信號(hào)：今日光電，微信公眾號(hào)：今日光電】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，
發(fā)表于 07-08 04:20
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（
發(fā)表于 07-31 06:53
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材
發(fā)表于 09-14 08:35
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
發(fā)表于 11-16 06:23
什么是氮化鎵功率芯片？
電源和信號(hào)，一直是業(yè)界無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣?b class='flag-5'>器件的開(kāi)關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無(wú)法做到更高的頻率。氮化
發(fā)表于 06-15 14:17
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
發(fā)表于 06-15 15:32
什么是氮化鎵（GaN）？
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件
發(fā)表于 06-15 15:41
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)
發(fā)表于 06-15 15:47
為什么氮化鎵比硅更好？
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的
發(fā)表于 06-15 15:53
什么是氮化鎵功率芯片？
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入
發(fā)表于 06-15 16:03
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì)，支持基于氮化鎵
發(fā)表于 06-25 14:17
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì)，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論