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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡介以及其特點和優(yōu)勢分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)...
整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...
雖然GaN在功率器件領域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領域的應用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前，GaN的制造...
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
最近，麻省理工學院（MIT）、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術聯(lián)盟的科研人員展示出一項新型設計，讓氮化鎵功率器件處理的電...
2018-01-04 標簽：功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業(yè)和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定...
隨著技術的發(fā)展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材...
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管？
半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器，它們的特點和優(yōu)點都有所不同。要判斷哪種更好，需要從不同的角度進行比較和分析。 首先，從充電效率方面來看。...
通過種種信息，我們應該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
中國首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發(fā)布適合5G移動通信的寬...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
用于無線基礎設施的半導體技術正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的...
氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
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