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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術是一種新型的半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...
Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢
5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數包含單獨功率因數校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉換器（兩個電感和一個電容）...
發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導體嗎
發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉化為可見光。它由半導體材料制成，是一種先進的光電器件。本文將詳...
材質上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。
碳化硅（SiC）由硅（原子序數14）和碳（原子序數6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結構化合物，具有寬禁帶半導體特性。
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅...
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
高保真聲音再現發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質量的最新受益者，因為它使這些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關于最佳家庭音頻設置構成的難...
大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產品。 氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之...
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導熱性能較差，但其...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件...
蘋果氮化鎵充電器是一種新型的充電器，它采用了氮化鎵材料來實現高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相比，蘋果氮化鎵充電器在多個方面表現出了明顯的優(yōu)勢。本文將...
GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經開始滲透到手機和筆記本等電子設備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據充電頭網了解，目前華為、小米、三星、OP...
筆記本電腦是現代人生活中必不可少的電子設備之一，而電池的續(xù)航時間則直接關系到筆記本的使用體驗。因此，選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對于延長筆記本電腦的使用時間...
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