什么是第四代半導(dǎo)體？

第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄...

2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.8萬 0

志在替代第三代半導(dǎo)體材料，氧化鎵目前有沒有這個(gè)實(shí)力？

韓國(guó)政府在近日宣稱將加大非硅功率半導(dǎo)體在本土的發(fā)展，用于電動(dòng)汽車和其他對(duì)功效和耐用性要求較高的技術(shù)。該計(jì)劃將支持5種以上的半導(dǎo)體在2025年實(shí)現(xiàn)本土商業(yè)...

2021-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 8695 0

第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵的優(yōu)勢(shì)與發(fā)展進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò)，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。...

2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 4927 0

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

本文通過導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 4136 0

中國(guó)第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合

2025年2月13日凌晨，中國(guó)科技界迎來一則重磅消息：吉林大學(xué)劉冰冰教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中山大學(xué)朱升財(cái)教授，在國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature Materials》上...

2025-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石氧化鎵 3572 0

氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進(jìn)一步，本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）氧化鎵被認(rèn)為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導(dǎo)體材料，而對(duì)于氧化鎵的重要性，去年8月美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對(duì)...

2023-11-06 標(biāo)簽：氧化鎵 2677 0

國(guó)內(nèi)氧化鎵半導(dǎo)體又有新進(jìn)展，距離量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga...

2022-12-28 標(biāo)簽：氧化鎵 2366 0

外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制

外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國(guó)商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國(guó)外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵光刻機(jī) 2201 0

日本氧化鎵的新進(jìn)展

FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（S...

2022-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料新材料氧化鎵 2048 0

第四代半導(dǎo)體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競(jìng)爭(zhēng)？

此外，氧化鎵的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示...

2023-03-20 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅氧化鎵 1491 0

北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破

北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

2024-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 1453 0

三菱電機(jī)加速開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性...

2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1356 0