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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 319 0
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 318 0
TPS23523 具有雙電流限制、單 Oring 和雙柵極驅(qū)動(dòng)的 -10V 至 -80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS23523 是一款集成的熱插拔和 OR-ing 控制器,使高功率電信系統(tǒng)能夠滿足嚴(yán)格的瞬態(tài)要求。200V 的絕對(duì)最大額定值使其更容易通過雷電浪涌測...
TPS53219A 具有 Eco 模式的 3V 至 28V、20A、同步 D-CAP 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53219A 器件是一款小型單降壓控制器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP 模式控制。該器件適用于數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品中的低輸出電壓、高電流、PC 系統(tǒng)電...
UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級(jí) 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
ADUM5230隔離半橋驅(qū)動(dòng)器,集成高端電源技術(shù)手冊(cè)
ADuM5230是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù)提供獨(dú)立的隔離高端和低端輸出。此款隔離器件結(jié)合了CMOS和...
2025-06-05 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 315 0
ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
LM5088-Q1系列 汽車級(jí) 4.5-75V 寬 Vin、電流模式非同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5088 高壓非同步降壓控制器具有使用最少數(shù)量的外部元件實(shí)現(xiàn)高效高壓降壓轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。LM5088 可配置為在 4.5V 至 75V 的超寬...
LM5100C 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高...
UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14240-Q1 將變...
UCC27282 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27282 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓 311 0
LM5121-Q1系列 汽車類 3-65V 寬 VIN、電流模式同步升壓,具有斷開開關(guān)控制功能技術(shù)資料
LM5121 是一款同步升壓控制器,旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率 升壓穩(wěn)壓器應(yīng)用??刂品椒ɑ诜逯惦娏髂J娇刂啤.?dāng)前 模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流 ...
2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFET峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 311 0
UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和...
ISO5852S 5.7kVrms,2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5852S器件是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET,可提...
TPS51620 用于 IMVP6+ CPU/GPU Vcore 的雙相 D-CAP+?Mode 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51620 是一款可選的雙相或單相、完全兼容 IMVP6+ 降壓控制器,帶有集成柵極驅(qū)動(dòng)器。D-CAP+ 架構(gòu)和 OSR 過沖減少等高級(jí)控制功能可...
2025-04-01 標(biāo)簽:降壓控制器柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電容 306 0
Analog Devices Inc. TMCM-1690-TMCL伺服控制器柵極驅(qū)動(dòng)器模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. TMCM-1690-TMCL伺服控制器柵極驅(qū)動(dòng)器模塊 提供高達(dá)1.5A的柵極驅(qū)動(dòng)電流和+60V(標(biāo)稱值+48V...
2025-06-04 標(biāo)簽:伺服控制器Analog柵極驅(qū)動(dòng)器 304 0
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三...
LM5111系列 具有高電平或低電平有效輸出 4V UVLO 的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5111 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以更高的峰值輸出電流和效率取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)*復(fù)合*輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)都包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管,它們共...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
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