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LM5088-Q1系列 汽車級(jí) 4.5-75V 寬 Vin、電流模式非同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-03-28 09:28 ? 次閱讀
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LM5088 高壓非同步降壓控制器具有使用最少數(shù)量的外部元件實(shí)現(xiàn)高效高壓降壓轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。LM5088 可配置為在 4.5V 至 75V 的超寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。這款易于使用的控制器包括一個(gè)電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠控制外部 N 溝道降壓開關(guān)。該控制方法基于利用仿真電流斜坡的峰值電流模式控制。使用仿真控制斜坡可降低脈寬調(diào)制電路的噪聲靈敏度,從而能夠可靠地控制高輸入電壓和低輸出電壓應(yīng)用中所需的非常小的占空比。LM5088 開關(guān)頻率可在 50kHz 至 1MHz 范圍內(nèi)進(jìn)行編程
*附件:LM5088、LM5088-Q1 寬輸入范圍非同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

LM5088 提供兩個(gè)版本:LM5088-1 提供 ±5% 的頻率抖動(dòng)功能以降低傳導(dǎo)和輻射 EMI,而 LM5088-2 則提供用于過載保護(hù)的多功能重啟定時(shí)器。其他功能包括低壓差偏置穩(wěn)壓器、用于控制關(guān)斷和待機(jī)模式的三電平使能輸入、軟啟動(dòng)和振蕩器同步功能。該器件采用熱增強(qiáng)型 16 引腳 HTSSOP 封裝。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C5
  • 仿真電流模式控制
  • 驅(qū)動(dòng)外部高側(cè) N 溝道 MOSFET
  • 4.5 V 至 75 V 的超寬輸入電壓范圍
  • 低 IQ關(guān)機(jī)和待機(jī)模式
  • 高占空比功能,可降低壓差
  • 擴(kuò)頻 EMI 降低 (LM5088-1)
  • 用于過載保護(hù)的打嗝定時(shí)器 (LM5088-2)
  • 可調(diào)輸出電壓為 1.205 V,反饋參考精度為 1.5%
  • 寬帶寬誤差放大器
  • 單電阻振蕩器頻率設(shè)置
  • 振蕩器同步功能
  • 可編程軟啟動(dòng)
  • 高電壓、低壓差偏置穩(wěn)壓器
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 16 引腳 HTSSOP 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

概述

LM5088 和 LM5088-Q1 是德州儀器(Texas Instruments)生產(chǎn)的高電壓非同步降壓控制器,專為寬輸入電壓范圍(4.5V 至 75V)應(yīng)用設(shè)計(jì)。這兩款控制器采用峰值電流模式控制,具有低 IQ 關(guān)機(jī)和待機(jī)模式,以及高占空比功能以降低壓降電壓。LM5088-1 版本提供頻率抖動(dòng)功能以減少 EMI,而 LM5088-2 版本則提供重載保護(hù)定時(shí)器(hiccup timer)。

主要特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:4.5V 至 75V。
  • ?峰值電流模式控制?:利用模擬電流斜坡,減少噪聲敏感性。
  • ?低 IQ 關(guān)機(jī)和待機(jī)模式?:降低功耗。
  • ?高占空比功能?:降低壓降電壓。
  • ?頻率抖動(dòng)?(LM5088-1):減少傳導(dǎo)和輻射 EMI。
  • ?重載保護(hù)定時(shí)器?(LM5088-2):提供過載保護(hù)。
  • ?可編程輸出電壓?:從 1.205V 開始,具有 1.5% 的反饋參考精度。
  • ?寬帶寬誤差放大器?:增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  • ?可編程軟啟動(dòng)?:避免啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊。
  • ?熱關(guān)斷保護(hù)?:防止過熱損壞。

封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:16 引腳 HTSSOP 封裝。
  • ?尺寸?:5.00mm × 4.00mm。

關(guān)鍵引腳功能

  • ?VIN?:輸入供電電壓。
  • ?EN?:使能輸入,控制控制器的開關(guān)狀態(tài)。
  • ?SS?:軟啟動(dòng)引腳,控制啟動(dòng)時(shí)的輸出電壓上升速率。
  • ?RAMP?:斜坡控制信號(hào),設(shè)置模擬電流斜坡的斜率。
  • ?RT/SYNC?:內(nèi)部振蕩器頻率設(shè)置輸入和同步輸入。
  • ?GND?:地引腳。
  • ?COMP?:誤差放大器輸出,連接補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
  • ?FB?:反饋信號(hào)輸入,連接至輸出電壓分壓器。
  • ?OUT?:輸出電壓連接點(diǎn)。
  • ?CS?:電流感應(yīng)輸入,監(jiān)測(cè)電感電流。
  • ?CSG?:電流感應(yīng)地,為電流感應(yīng)電阻提供低側(cè)參考。
  • ?SW?:開關(guān)節(jié)點(diǎn),連接至外部 MOSFET 的源極。
  • ?HG?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出,連接至外部 MOSFET 的柵極。
  • ?BOOT?:自舉電容輸入,為柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置電壓。
  • ?VCC?:內(nèi)部偏置電壓輸出,為控制器供電。

應(yīng)用領(lǐng)域

典型應(yīng)用電路

  • ?輸入電壓?:4.5V 至 75V。
  • ?輸出電壓?:可調(diào),例如 5V。
  • ?最大負(fù)載電流?:可達(dá)數(shù)安培,具體取決于外部組件。
  • ?開關(guān)頻率?:可編程,范圍從 50kHz 至 1MHz。

保護(hù)功能

  • ?過流保護(hù)?:包括周期性電流限制和重載保護(hù)定時(shí)器(LM5088-2)。
  • ?熱關(guān)斷保護(hù)?:防止結(jié)溫過高。
  • ?欠壓鎖定?:在輸入電壓過低時(shí)關(guān)閉控制器。

布局建議

  • 輸入和輸出電容應(yīng)盡可能靠近控制器放置,以減少噪聲和電壓波動(dòng)。
  • 柵極驅(qū)動(dòng)回路應(yīng)盡可能小,以減少寄生電感和開關(guān)噪聲。
  • 關(guān)鍵信號(hào)線(如 FB、CS)應(yīng)遠(yuǎn)離高噪聲源,并保持短而直。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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