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標簽 > 柵極驅動器
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅動用于數字信號傳輸的邏輯電平晶體管時,使用微控制器輸出不會損害應用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應用中,微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
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技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
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技術資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
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技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
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技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
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LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
技術資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋,集成驅動器、保護和電流感應
LMG2650 是一個 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、...
技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
PMP31349 具有GaN開關的30V至60V輸入、240W 降壓轉換器參考設計
此參考設計是一種可從標稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設計為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
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TI LMG3624 具有集成式驅動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋技術文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG...
柵極驅動器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關鍵電路組件,主要用于增強場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信...
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