LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健?/p>

LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴?？烧{(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強度允許將轉(zhuǎn)換速率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之間，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3526R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當(dāng)實現(xiàn)零電壓切換時，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：LMG352xR050 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650 V 50 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，從而簡化了器件負(fù)載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

• 650V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅(qū)動器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 3.6MHz 開關(guān)頻率
  • 15V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和降低 EMI
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強大的保護(hù)
  • 逐周期過流和鎖存短路保護(hù)，具有 < 100ns 響應(yīng)
  • 在硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
  • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
• 高級電源管理
  • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
  • LMG3526R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
• 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣和熱路徑分開，以實現(xiàn)最低功率環(huán)路電感

參數(shù)

方框圖

應(yīng)用
?開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
?商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
?商業(yè)電信整流器
?太陽能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器
?不間斷電源