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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

為什么晶圓是圓的？芯片是方的？

晶圓為什么是圓的而不是方的？按理說，方型的Die放在圓形的Wafer里總會不可避免有空間浪費，為什么不做成方型的更節(jié)省空間。因為制作工藝決定了它是圓形的...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片晶圓制作工藝 895 0

晶圓料號打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理

本文介紹了晶圓料號打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)？晶圓在制造過程中有數(shù)百道工藝步驟，標(biāo)記使得每片晶圓能夠在不同階段進行身份識別，...

2024-12-16 標(biāo)簽：激光晶圓油墨 1009 0

全自動變倍對焦顯微鏡：晶圓盤檢測的得力助手

全自動變倍對焦顯微鏡，以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，正成為晶圓盤檢測領(lǐng)域的一顆璀璨明星。

2024-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓顯微鏡 556 0

晶圓劃片為什么用UV膠帶

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般...

2024-12-10 標(biāo)簽：芯片晶圓 UV 1117 0

半導(dǎo)體制造三要素：晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓、晶粒與芯片是三個至關(guān)重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的基石。本文將深入探討這三者之間的...

2024-12-05 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2959 0

北京大學(xué)常林課題組：異質(zhì)集成Si/Ⅲ-Ⅴ激光器超全學(xué)習(xí)指南

來源：中國激光雜志社封面解讀硅波導(dǎo)上光流轉(zhuǎn)，異質(zhì)激光共此盤。微環(huán)諧振調(diào)頻穩(wěn)，光頻應(yīng)用盡開端。文章鏈接：高旭, 常林. 異質(zhì)集成Si/III-V族...

2024-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器晶圓 878 0

深度解析安森美Treo平臺

本文重點介紹了安森美（onsemi）Treo平臺的模擬性能。引入了PPA三角形概念來比較不同工藝技術(shù)之間的模擬關(guān)鍵指標(biāo)?？傮w而言，本文將展示基于65nm...

2024-11-27 標(biāo)簽：集成電路安森美混合信號 1503 0

先進封裝中的翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)概述

引言翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的封裝方法，在性能、尺寸減小和功能增加方面具有優(yōu)勢。本文概述翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)，包括晶圓凸塊制作工藝、組裝方法和進...

2024-11-27 標(biāo)簽：芯片晶圓先進封裝 1213 0

晶圓/晶粒/芯片之間的區(qū)別和聯(lián)系

本文主要介紹??????晶圓（wafer）/晶粒（die）/芯片（chip）之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓（Wafer）——原材料和生產(chǎn)平臺?? 晶...

2024-11-26 標(biāo)簽：芯片晶圓晶粒 1811 0

WAT晶圓接受測試簡介

WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫，意思是晶圓接受測試，業(yè)界也稱WAT 為工藝控制監(jiān)測（Process Control M...

2024-11-25 標(biāo)簽：芯片測試晶圓 1562 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會形成保護層防止銅進一步氧化，另外，Cu 是軟金...

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超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 810 0

一文了解晶圓級封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)

隨著電子產(chǎn)品需求的不斷提升，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)從2D 結(jié)構(gòu)發(fā)展到2.5D 乃至3D結(jié)構(gòu)，這對包括高密度集成和異質(zhì)結(jié)構(gòu)封裝在內(nèi)的系統(tǒng)級封裝（Syst...

2024-11-24 標(biāo)簽：晶圓封裝 1526 0

CP測試和WAT測試有什么區(qū)別

本文詳細介紹了在集成電路的制造和測試過程中CP測試（Chip Probing）和WAT測試（Wafer Acceptance Test）的目的、測試對象...

2024-11-22 標(biāo)簽：集成電路測試晶圓 1222 0

晶圓表面污染及其檢測方法

晶圓表面潔凈度會極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中，高達50%是源自于晶圓表面污染。能夠?qū)е缕骷姎庑阅芑蚱骷圃爝^程發(fā)生不受控...

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接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因為 C...

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金屬層1工藝的制造流程

金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來，以及把不同區(qū)域的通孔1連起來。第一金屬層是大馬士革的銅結(jié)構(gòu)，...

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SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡...

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CMS系列連接器在晶圓級電性參數(shù)測試設(shè)備中的應(yīng)用

01應(yīng)用場景在集成電路的產(chǎn)品開發(fā)、工藝制造和產(chǎn)品驗證過程中，對電性參數(shù)測試的需求日益提高。芯片設(shè)計類企業(yè)、代工制造類企業(yè)、垂和研發(fā)實驗室，都需要完成多種...

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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