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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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從開槽到分層切割:劃片機(jī)階梯式進(jìn)刀技術(shù)對(duì)刀具磨損的影響分析
劃片機(jī)分層劃切工藝介紹?一、?定義與核心原理?分層劃切工藝是一種針對(duì)硬脆材料(如硅晶圓、陶瓷)的精密切割技術(shù),通過分階段控制切割深度和進(jìn)給速度,減少材料...
01為什么要測(cè)高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場(chǎng)上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī),劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過程中會(huì)...
2025-06-11 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝劃片機(jī) 247 0
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)...
摘要:本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低...
基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場(chǎng)、力場(chǎng)、流場(chǎng)等多物理場(chǎng)相互耦合,引發(fā)切割振動(dòng),嚴(yán)重...
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每...
2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)集成電路光刻工藝 139 0
碳化硅襯底厚度測(cè)量中探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量過程中,探頭溫漂會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理,為提高測(cè)量準(zhǔn)確性...
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...
晶圓切割中振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中,振動(dòng)與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量,尤其對(duì)厚度均勻性干擾嚴(yán)重...
淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過程中的振動(dòng)會(huì)影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參數(shù)的設(shè)置對(duì)振動(dòng)產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)...
2025-07-10 標(biāo)簽:晶圓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)碳化 53 0
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