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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...

2025-07-11 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 84 0

晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過程中的振動(dòng)會(huì)影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參數(shù)的設(shè)置對(duì)振動(dòng)產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動(dòng)監(jiān)測系統(tǒng)...

2025-07-10 標(biāo)簽:晶圓監(jiān)測系統(tǒng)碳化 44 0

先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

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前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝,今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線(RDL)。

2025-07-09 標(biāo)簽:芯片晶圓先進(jìn)封裝 378 0

超薄晶圓切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

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超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓切割碳化硅 99 0

晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每...

2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓場集成電路光刻工藝 134 0

芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。

2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓芯片封裝 286 0

晶圓切割中振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法

晶圓切割中振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法

一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中,振動(dòng)與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量,尤其對(duì)厚度均勻性干擾嚴(yán)重...

2025-07-08 標(biāo)簽:晶圓新啟航碳化 98 0

多晶硅在芯片制造中的作用

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在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能...

2025-07-08 標(biāo)簽:多晶硅晶圓芯片制造 408 0

基于多物理場耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

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一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場、力場、流場等多物理場相互耦合,引發(fā)切割振動(dòng),嚴(yán)重...

2025-07-07 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟 140 0

深度解析芯片化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

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化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing, 簡稱 CMP)技術(shù)是一種依靠化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除的超精密...

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基于機(jī)器視覺的碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)設(shè)計(jì)與厚度均勻性控制

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一、引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其卓越的物理化學(xué)性能,在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而,...

2025-06-30 標(biāo)簽:晶圓機(jī)器視碳化硅 462 0

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WAT(Wafer Acceptance Test)測試,也叫PCM(Process Control Monitoring),對(duì)Wafer 劃片槽(Sc...

2025-06-28 標(biāo)簽:測試半導(dǎo)體晶圓 682 0

TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

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TCWafer晶圓測溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測解決方案,專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器(Thermocou...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測溫系統(tǒng) 451 0

晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響

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摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對(duì)測...

2025-06-14 標(biāo)簽:晶圓測量TTV 159 0

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激光劃片機(jī)是利用高能激光束對(duì)晶圓等材料進(jìn)行切割或開槽的精密加工設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)器件等領(lǐng)域。其核心原理是通過激光與材料的相互作用,實(shí)現(xiàn)...

2025-06-13 標(biāo)簽:激光晶圓劃片機(jī) 707 0

晶圓清洗設(shè)備概述

晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘...

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01為什么要測高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī),劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過程中會(huì)...

2025-06-11 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝劃片機(jī) 246 0

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2025-06-09 標(biāo)簽:晶圓電鍍功率器件 1031 0

TPS631010 3A 峰值電流、高效、超小解決方案尺寸的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS631010 和 TPS631011 是采用微型晶圓芯片級(jí)封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它們具有 3A 峰值電流限制 (典型值) 和...

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什么是晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)

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晶圓級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長。

2025-06-05 標(biāo)簽:芯片晶圓封裝 881 0

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