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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
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臺積電3nm工藝節(jié)點步入正軌,N3P預計2024年下半年量產
在N3P上,公司利用之前的N3E工藝節(jié)點進行優(yōu)化升級,以提升整體能效及晶體管密度。據(jù)介紹,N3E工藝節(jié)點的良率已達到與5納米成熟工藝相當?shù)乃健?/p>
探索光耦:電流傳輸比(CTR)——了解光耦的重要參數(shù)
在電子設計和元器件選型的過程中,電流傳輸比(CTR)是一個至關重要的參數(shù),尤其是在光耦器件中。CTR不僅決定了光耦的性能,還會影響整體電路的穩(wěn)定性和效率...
東哲郎強調,半導體市場正朝著具有特定功能的產品,而不是以通用型芯片的方向來發(fā)展,Rapidus希望能夠在這個過渡期搶進市場當中,并能夠得到日本半導體設備...
以已經宣布量產的三星3nm為例,三星官方消息顯示,與三星5nm工藝相比,第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來...
頻繁檢測血清丙氨酸氨基轉移酶(ALT)的活性對于預防藥物性肝損傷(DILI)至關重要。
英特爾描繪了到2030年實現(xiàn)萬億級晶體管芯片設計的路線圖
英特爾向今年的國際電子器件會議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強調了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat...
IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
IRFH7085TRPBF英飛凌NMOS,MOSFET,HEXFET系列,Vds=60V,PQFN封裝,147A,表面貼裝,8引腳,Si晶體管IRFH7...
12英寸深硅刻蝕機銷售突破百腔,北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對工藝技術持續(xù)微縮所增加的成本及復雜性,市場亟需另辟蹊徑以實現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(...
近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調整晶圓廠產能,減少消費類電子...
三菱電機開始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模塊樣品
三菱電機集團近日(2023年9月14日)宣布,將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1(mMIMO)基站的新型氮化鎵(GaN)功率放...
在2022年6月16日北美技術論壇會議上,臺積電首次宣布將推出下一代先進N2工藝制程,同時也介紹和說明了n2工藝制程的相關研發(fā)進展和未來規(guī)劃。
黃仁勛向數(shù)千名開發(fā)者和圖形專業(yè)人士發(fā)表講話,宣布更新 GH200 Grace Hopper 超級芯片、英偉達 AI Workbench,并將把生成式 A...
緊跟國家發(fā)展戰(zhàn)略,時代速信挑戰(zhàn)“芯”高度
2004年左右,第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效能、高電壓的射頻基礎設施。 2008年,氮化鎵金屬氧化物...
關鍵要點 ?在重負載時,如果trr較長,則超前臂關斷時,寄生雙極晶體管可能會誤導通,從而損壞MOSFET。 ?在PSFB電路中,在反向恢復期間體二極管的...
ESD靜電二極管的基本概念 ESD靜電二極管封裝形式 esd二極管有極性嗎? ESD靜電二極管是一種用來防止靜電放電對電子器件和電路造成損害的保護裝置。...
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