2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。

2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET在硅襯底上形成得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。

2018年，氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用于快充，從此充電器進(jìn)入氮化鎵時(shí)代。

2021年3月13日，新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，其中“集成電路”領(lǐng)域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體要取得發(fā)展。

時(shí)代速信作為一家致力于發(fā)展化合物半導(dǎo)體的民營公司，緊跟國家的發(fā)展戰(zhàn)略，努力深耕于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并形成了以碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵為核心的產(chǎn)品布局。近期，時(shí)代速信推出系列硅基氮化鎵HEMT產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品特別適用于高功率密度、超高開關(guān)頻率和高效率的電源類應(yīng)用場(chǎng)景，并且已完全應(yīng)用于快充領(lǐng)域。由于工藝材料上的天然優(yōu)勢(shì)，硅基氮化鎵器件與硅功率器件相比，開關(guān)頻率可提升10倍，同時(shí)與其匹配的無源器件尺寸可大幅縮小，相應(yīng)的最終電源產(chǎn)品，以PD快充為例，尺寸可縮小1/3。

時(shí)代速信此次推出的產(chǎn)品：GHHS065200AD，GHHS065400AD，均是N溝道650V增強(qiáng)型HEMT功率管，具有極低的導(dǎo)通電阻，極低的輸入和輸出電容，零反向恢復(fù)電荷。目前，市場(chǎng)對(duì)電源產(chǎn)品的效率要求越來越高，而GHHS065200AD在對(duì)應(yīng)不同輸入電壓和輸出規(guī)格的條件下與友商進(jìn)行比較，其效率全方位均有提升。同時(shí)GHH065200AD已經(jīng)完全通過可靠性測(cè)試認(rèn)證。

使用GHHS065200AD的準(zhǔn)諧振（QR）PD65WDemo，方案成熟，性能優(yōu)異實(shí)測(cè)效率可達(dá)92%。通過傳導(dǎo)、輻射測(cè)試及3C認(rèn)證，可完全商用。

基于OR模式的30WPD產(chǎn)品亦同時(shí)面市。

審核編輯：符乾江