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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
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2016年發(fā)布ITRS做出預(yù)測,晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減
2016年7月正式發(fā)布的2015年國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)做出預(yù)測,經(jīng)歷了50多年的微型化,晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減。
常用的感應(yīng)器主要有:距離感應(yīng)器,光電感應(yīng)器,行程感應(yīng)器,磁性感應(yīng)器,位移感應(yīng)器,溫度感應(yīng)器,濕度感應(yīng)器,對射感應(yīng)器,壓力感應(yīng)器等
普通達林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個發(fā)射結(jié)。
晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此,工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET...
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(...
1、1948年、在貝爾電話研究所誕生 1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。 之...
用阿拉伯?dāng)?shù)字和單位符號在電阻器表面直接標(biāo)出標(biāo)稱阻值和技術(shù)參數(shù),電阻值單位歐姆用“Ω”表示,千歐用“KΩ”表示,兆歐用“MΩ”表示,吉歐用“GΩ”表示,允...
2020-11-29 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模,大到幾億;小到幾十、幾百個晶體管。芯片其實就是一塊高度集成的電路板也可以叫IC比如說...
2021-12-20 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體芯片 1.5萬 0
當(dāng)今最常見的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面,BJT是雙極結(jié)型晶體管。
HIS 發(fā)布的報告《5G 經(jīng)濟:5G 技術(shù)將如何助力全球經(jīng)濟》預(yù)測,未來 5G 技術(shù)將給全球經(jīng)濟帶來 12 萬億美元的經(jīng)濟增長,而 2020-2035 ...
目前,高K柵介質(zhì)與金屬柵極技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 28mmn 以下高性能產(chǎn)品的制造,它在相同功耗情況下可以使集成電路的性能大幅度提高,泄漏電流大幅下降。
先說個冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar...
關(guān)于芯片,很多人都不太了解,只是偶爾會看見一些關(guān)于臺積電、三星2nm芯片的新聞,那么一定有人會好奇, 芯片的nm代表著什么,2nm芯片是多少厘米? 首先...
場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等?yōu)點,特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場效應(yīng)管和三極管...
2019-07-05 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管電壓控制器 1.4萬 0
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