先說個(gè)冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。

IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵雙極晶體管」。

IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動(dòng)汽車、鐵路機(jī)車及動(dòng)車組的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制等領(lǐng)域。

IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，也叫IGFET，Insulated Gate Field Effect Transister）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，它兼有MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流小，以及BJT導(dǎo)通電阻低兩方面的優(yōu)點(diǎn)（傳統(tǒng)的BJT導(dǎo)通電阻小，但是驅(qū)動(dòng)電流大，而MOSFET的導(dǎo)通電阻大，卻驅(qū)動(dòng)電流?。?。

正是由于IGBT晶體管結(jié)合了MOSFET的高電流單柵控制特性及BJT的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會(huì)通過過把一個(gè)隔離的FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)合，作為其控制輸入，并以BJT作開關(guān)。

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。

實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏溝道，而這個(gè)溝道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高耐壓的器件上，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。

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