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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板用于評(píng)估ADA4098-1 6引腳、薄型小外形晶體管 (TSOT)、穩(wěn)健的...
2025-07-01 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器晶體管Analog 81 0
東芝半導(dǎo)體微波爐電路設(shè)計(jì)解決方案
用戶對(duì)微波爐產(chǎn)品的期望值可謂日益提高,例如智能化,用戶期望微波爐能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制、語音操作、智能菜譜推薦等;多功能,微波爐不僅需要具備基本的加熱功能,還...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)晶體管 475 0
如何利用示波器測(cè)量開關(guān)電源死區(qū)時(shí)間
在當(dāng)今復(fù)雜而精密的電子技術(shù)領(lǐng)域,開關(guān)電源作為眾多電子設(shè)備的核心供電組件,其性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而,在實(shí)際的研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用過程中,我們時(shí)常會(huì)面臨一個(gè)...
2025-06-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源示波器晶體管 555 0
本文解析了MOS管作為開關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對(duì)導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
我們通過仿真電路來模擬上一期介紹的開關(guān)電路,對(duì)實(shí)際設(shè)計(jì)有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例,以不同的輸入端頻率進(jìn)行仿真測(cè)試。首先,Vc...
2025-06-26 標(biāo)簽:開關(guān)電路光耦晶體管 87 0
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì),直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí),傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功...
無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步,器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使...
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...
晶體管輸出型光耦的性能,取決于其輸入?yún)?shù)、輸出參數(shù)和傳輸特性,傳輸特性決定著其電性能傳送能力和特點(diǎn)。其中最重要的參數(shù)為電流傳輸比(Currenttran...
在芯片的硅基世界中,硼離子注入(Boron Implant) 如同納米級(jí)的外科手術(shù)——通過精準(zhǔn)控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域,構(gòu)建出晶體管性能的“地基”...
對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí),幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 398 0
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓?fù)?、全橋拓?fù)潆娐?,而在電路開發(fā)的過程中工程師是需要結(jié)合不同的電路特性來選型的。因此對(duì)于推挽拓?fù)洹?..
在5納米以下的芯片制程中,晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下(約5個(gè)原子層)。此時(shí),傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?)如同漏水的薄紗,電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...
這些指令主要是針對(duì)用 PLC 直接聯(lián)動(dòng)伺服放大器,目的是可以不借助其他擴(kuò)展設(shè)備(例如1GM 模塊)來進(jìn)行簡(jiǎn)單的點(diǎn)位控制, 使用這些指令時(shí)最好配合三菱的伺...
2025-06-12 標(biāo)簽:放大器plc步進(jìn)電機(jī) 626 0
關(guān)于芯片設(shè)計(jì)的一些基本知識(shí)
芯片的設(shè)計(jì)理念眾所周知,芯片擁有極為復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。以英偉達(dá)的B200芯片為例,在巴掌大的面積上,塞入了2080億個(gè)晶體管。里面的布局,堪稱一個(gè)異次元空間級(jí)...
2025-06-11 標(biāo)簽:集成電路芯片設(shè)計(jì)晶體管 186 0
Analog Devices Inc. ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器是一款假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 ...
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會(huì)嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手...
2025-06-06 標(biāo)簽:集成電路安森美IC設(shè)計(jì) 781 0
CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí),重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對(duì)器件及電路性能的影響上。
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