理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

2012-04-12 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 6.3萬(wàn) 1

深度剖析半導(dǎo)體熱阻數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間，此時(shí)器件端子上既有電壓又有電流流過(guò)。傳導(dǎo)...

2022-04-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān)損耗 4095 0

利用示波器探頭進(jìn)行開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試

如今的開(kāi)關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Of...

2022-06-20 標(biāo)簽：MOSFET示波器探頭 2369 0

175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

Avnet Design Service電源實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負(fù)荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達(dá)175 W。解決方案提供多種組...

2012-08-01 標(biāo)簽：電源安富利電源模塊 1979 0

開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中的注意事項(xiàng)及影響因素解析

功率損耗是開(kāi)關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 標(biāo)簽：示波器探頭開(kāi)關(guān)損耗 945 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 803 0

差分探頭在測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗中的應(yīng)用

開(kāi)關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個(gè)重要性能指標(biāo)，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測(cè)量工具，在開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

2024-08-09 標(biāo)簽：差分探頭開(kāi)關(guān)損耗 593 0