MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2023-07-17 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源MOS管DCM 1.7萬(wàn) 0

幾種典型的軟開(kāi)關(guān)電路分享

目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化，同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電路濾波器 1.5萬(wàn) 0

開(kāi)關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求

1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情

2017-09-24 標(biāo)簽：變壓器電源管理開(kāi)關(guān)損耗 1.1萬(wàn) 0

基于CMM下開(kāi)關(guān)損耗和反激開(kāi)關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算

1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2018-01-13 標(biāo)簽：cmm開(kāi)關(guān)損耗 9986 0

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源MOSFET電容 9977 0

入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例

對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 9934 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平，諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管LLC功率電路 9899 0

通過(guò)AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12％

Pre-Switch通過(guò)將AI嵌入到FPGA中來(lái)解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標(biāo)簽：fpgaAI開(kāi)關(guān)損耗 9762 0

開(kāi)關(guān)損耗的準(zhǔn)確測(cè)量

一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。

2019-07-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗 6550 0

理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

2012-04-12 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 6.3萬(wàn) 1

深度剖析半導(dǎo)體熱阻數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間，此時(shí)器件端子上既有電壓又有電流流過(guò)。傳導(dǎo)...

2022-04-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān)損耗 4085 0

利用示波器探頭進(jìn)行開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試

如今的開(kāi)關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Of...

2022-06-20 標(biāo)簽：MOSFET示波器探頭 2369 0

175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

Avnet Design Service電源實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負(fù)荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達(dá)175 W。解決方案提供多種組...

2012-08-01 標(biāo)簽：電源安富利電源模塊 1979 0

開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中的注意事項(xiàng)及影響因素解析

功率損耗是開(kāi)關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 標(biāo)簽：示波器探頭開(kāi)關(guān)損耗 942 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 803 0

差分探頭在測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗中的應(yīng)用

開(kāi)關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個(gè)重要性能指標(biāo)，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測(cè)量工具，在開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

2024-08-09 標(biāo)簽：差分探頭開(kāi)關(guān)損耗 589 0