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標簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。
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SiP系統(tǒng)級封裝對比先進封裝HDAP二者有什么異同點?
SiP的關(guān)注點在于:系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn),所以系統(tǒng)是其重點關(guān)注的對象,和SiP系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝;先進封裝的關(guān)注點在于:封裝技術(shù)和工藝的先進性,...
2021-03-15 標簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)SiP封裝技術(shù) 9186 0
英飛凌公司獨特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世
20世紀80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進入...
隨著電子產(chǎn)品小型化、高性能要求的不斷提高,QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平無引腳封裝)形式因其較小的體積尺寸和較輕的...
芯片封裝是指將裸露的集成電路芯片封裝在適當?shù)耐鈿ぶ?,以便保護芯片并便于安裝和連接到電路板上。以下是一些常見的芯片封裝形式。
銀 (Ag): 導(dǎo)電漿料:用于某些先進的封裝技術(shù)。 電鍍:電鍍錫銀合金 鎳 (Ni): 硅化物形成:與硅反應(yīng)形成鎳硅化物,用于某些接觸應(yīng)用。 磁性金屬:...
CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是一種先進的半導(dǎo)體封裝技術(shù),它結(jié)合了芯片堆疊與基板連接的優(yōu)勢,實現(xiàn)了高度集成、高性能和...
由于中美貿(mào)易戰(zhàn)的原因,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)生變化,最大的變化來自于華為,由于進口芯片受到限制,導(dǎo)致海思芯片出貨量大大提升,海思芯片的封測訂單轉(zhuǎn)移到國內(nèi)。
2020-08-22 標簽:封裝技術(shù)芯片封裝技術(shù) 6441 0
什么是Chiplet技術(shù)?Chiplet技術(shù)有哪些優(yōu)缺點?
Chiplet技術(shù)是一種將集成電路設(shè)計和制造的方法,其中一個芯片被分割成多個較小的獨立單元,這些單元通常被稱為“chiplets”。每個chiplet可...
Chiplet技術(shù)是一種利用先進封裝方法將不同工藝/功能的芯片進行異質(zhì)集成的技術(shù)。這種技術(shù)設(shè)計的核心思想是先分后合,即先將單芯片中的功能塊拆分出來,再通...
麥姆斯咨詢:3D堆疊技術(shù)正成為圖像傳感器和高端IC應(yīng)用的新標準
消費類市場(主要是CIS應(yīng)用),是2018年堆疊封裝營收的最大貢獻者,占據(jù)了65%以上的市場份額。盡管如此,高性能計算(HPC)是推動3D封裝技術(shù)創(chuàng)新的...
無可替代的封裝技術(shù)LTCC——工藝及設(shè)備篇
LTCC工藝流程大致步驟為:粉料制備—漿料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—疊層—層壓—排膠—燒結(jié)—檢測。其詳細工藝流程圖如下
Sip技術(shù)是什么?Sip封裝技術(shù)優(yōu)缺點
SiP(System in Package)技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù),SiP技術(shù)允許將多個集成電路(IC)或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種SiP...
關(guān)于集成電路系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)以及應(yīng)用
由于集成電路設(shè)計水平和工藝技術(shù)的提高,集成電路規(guī)模越來越大,已可以將整個系統(tǒng)集成為一個芯片(目前已可在一個芯片上集成108個晶體 管)
先進封裝(Advanced Packaging)是一種新型的電子封裝技術(shù),它旨在通過創(chuàng)新的技術(shù)手段,將多個芯片或其他電子元器件以更高的集成度、更小的尺寸...
前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進封裝指主要以凸點(Bumping)方...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
當前給定的MCP的概念為:MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片,是一種一級單封裝的混合技術(shù),用此方法節(jié)約小巧印刷電...
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動,利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
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