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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體資訊

2023年半導體企業(yè)相關收購案有哪些？

2023年，半導體市場的逆風周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導體領域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標簽：英飛凌 eda 氮化鎵 2009 0

淺談寬禁帶半導體涉及到的幾個基礎問題

功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步，GaN功率器件邁向更廣的應用領域，更全電壓等級，從當前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級實現(xiàn)從...

2023-12-05 標簽：led 功率器件 GaN 1233 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標簽：氮化鎵寬禁帶半導體英諾賽科 1151 0

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...

2023-10-27 標簽：SiC 襯底碳化硅 2815 0

馬斯克的攪局碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術越來越成熟。

2023-10-25 標簽：晶圓氮化鎵碳化硅 455 0

美國國防部為北卡羅來納州微電子共享區(qū)域創(chuàng)新中心CLAWS撥款3940萬美元

《半導體芯科技》編譯來源：Semiconductor Today 北卡羅來納州立大學作為寬禁帶半導體區(qū)域創(chuàng)新中心的領導者，獲得美國國防部3940萬美元...

2023-10-09 標簽：寬禁帶半導體 967 0

8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)小批量銷售

前來看，在未來一段時間內(nèi)，6英寸導電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術的進步、基于成本和下游應用領域等因素考慮，8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...

2023-09-12 標簽：英飛凌晶圓碳化硅 459 0

GaN加速商業(yè)化進程國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2574 0

國產(chǎn)碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體PCIM Asia 2023亮點回顧

8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領先亞洲的電力電子展會，本屆...

2023-09-02 標簽：MOSFET 晶圓逆變器 1581 0

寬禁帶半導體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越！

國際半導體市場研究機構Yole預測，到2027年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元，其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元，占比...

2023-05-30 標簽：新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導體 1180 0

日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關于第四代半導體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導體又被稱為寬...

2023-03-27 標簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導體 3858 0

西安郵電大學在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。

2023-03-13 標簽：功率器件硅片外延片 770 0

淺談氮化鎵半導體產(chǎn)業(yè)鏈和相關企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。

2023-02-14 標簽：氮化鎵發(fā)光器件功率晶體管 833 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 1

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導體 808 0

寬禁帶半導體可以改進可再生能源設計嗎

隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費問題愈發(fā)重視，可再生能源解決方案已成為大家關注的焦點。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關的挑戰(zhàn)迫使整個社會不得不重新思考其與...

2023-02-02 標簽：IGBT 可再生能源寬禁帶半導體 251 0

安集科技攜"芯"而來，亮相IC China 2022

革新技術，共同推進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進一步加強全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈交流與合作，展示集成電路產(chǎn)業(yè)最新...

2022-11-21 標簽：芯片集成電路 AI芯片 841 0

對話|成本下降對寬禁帶半導體應用多重要？

隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應用情況將會發(fā)生明顯變化。編者按：近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高...

2022-10-28 標簽：半導體材料 GaN 寬禁帶半導體 1279 0

寬禁帶半導體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022

2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會?暨中國電源學會第二十五屆學術年會及展覽會（CPEECCPSSC 2022）2022年11月4-7日? 廣州白金合作...

2022-10-24 標簽：功率模塊碳化硅能量轉(zhuǎn)換 1560 0

寬禁帶半導體的潛力

追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心，而半導體材料則處于研發(fā)活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導體材料。然而，今天，...

2022-08-08 標簽：功率器件半導體材料寬禁帶半導體 1545 0

寬禁帶半導體前景樂觀

對電子設備的需求激增正在推動半導體行業(yè)多個領域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙（WBG...

2022-08-05 標簽：電平轉(zhuǎn)換器 GaN 寬禁帶半導體 1940 0

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半導體芯片：在半導體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術。采用OLED技術制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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