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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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日本團(tuán)隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場效應(yīng)晶體管 1499 0
近年來,可拉伸電子器件作為可穿戴設(shè)備或是植入式設(shè)備為健康監(jiān)測、疾病治療甚至基礎(chǔ)生物研究方面提供了強(qiáng)有力的平臺。
2023-08-08 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管柔性電子可穿戴設(shè)備 1484 0
TI全新緩沖放大器可將數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的信號帶寬提高十倍
德州儀器推出了具有業(yè)界超寬帶寬的高輸入阻抗(Hi-Z)緩沖放大器BUF802,能夠支持高達(dá)3GHz的頻率帶寬。
基于硅納米線場效應(yīng)晶體管的ALT生物傳感器檢測平臺
頻繁檢測血清丙氨酸氨基轉(zhuǎn)移酶(ALT)的活性對于預(yù)防藥物性肝損傷(DILI)至關(guān)重要。
2023-03-08 標(biāo)簽:晶體管Alt場效應(yīng)晶體管 1402 0
一種便攜式雙電極智能血糖儀可高靈敏度監(jiān)測血糖濃度
近年來,人們對葡萄糖傳感方法(例如光學(xué)、電化學(xué)和場效應(yīng)晶體管(FET)器件)進(jìn)行了廣泛的研究。
2023-07-12 標(biāo)簽:發(fā)光二極管FET場效應(yīng)晶體管 1400 0
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET,為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...
2020-09-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1314 0
傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展面臨著尺寸持續(xù)縮小的技術(shù)瓶頸,新興的石墨烯等二維材料基于其納米級厚度和極高的載流子遷移率一直備受關(guān)注。
2024-03-01 標(biāo)簽:人機(jī)交互物聯(lián)網(wǎng)場效應(yīng)晶體管 1307 0
射頻放大器信號處理方法 射頻放大器在信號處理中扮演著至關(guān)重要的角色,其處理方法涉及多個層面,以確保信號的有效放大和傳輸。以下是一些關(guān)鍵的射頻放大器信號處...
2024-12-13 標(biāo)簽:帶寬場效應(yīng)晶體管射頻放大器 1290 0
宜普推出用于eGaN場效應(yīng)晶體管設(shè)計的EPC9004開發(fā)板
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板,這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品
2011-08-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管開發(fā)板宜普 1251 0
有機(jī)場效應(yīng)晶體管研究取得重要進(jìn)展
晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授領(lǐng)導(dǎo)的課題組在有機(jī)場效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors,OFET)研究方面取得...
2012-04-26 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管 1250 0
根據(jù)溝道摻雜類型的不同,MOSFET分為nMOSFET和pMOSFET兩種,兩者組合在一起即為互補(bǔ)型MOS(Complementary MOS,CMOS...
2022-09-08 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場效應(yīng)晶體管 1221 0
宜普電源轉(zhuǎn)換推出eGaN?FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解決方案
EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達(dá)98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。
2020-10-29 標(biāo)簽:MOSFETEPCDC-DC轉(zhuǎn)換器 1218 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點短波紅外探測器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1193 0
一鍵解鎖!晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程
一鍵解鎖!晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程
2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管FinFET 1193 0
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1172 0
一、電子開關(guān)的基本原理 電子開關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些開關(guān)...
2024-12-30 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開關(guān) 1128 0
半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造的90°混合器。HMC520AHMC520A是混合型圖像拒絕器的一個較小的替代品?;祛l器和單邊帶上變頻器組件的...
2023-05-23 標(biāo)簽:混頻器場效應(yīng)晶體管 1062 0
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動公司不斷發(fā)展。
2024-02-28 標(biāo)簽:CMOSMOSFET運(yùn)算放大器 1057 0
mos管可以用來轉(zhuǎn)電源極性嗎? MOS管是一個基本的電子元件,由于其高頻特性、低開關(guān)電阻和低噪聲水平而得到了廣泛的應(yīng)用。它也被稱為“金屬氧化物半導(dǎo)體場效...
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETMOS管電源轉(zhuǎn)換器 991 0
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