pcb設(shè)計(jì)：用于柔性電子的新型絕緣層

研究人員研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field-effect transistors，F(xiàn)ETs）的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備...

2020-09-18 標(biāo)簽：pcb電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1926 0

高遷移率溝道集成電路

隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （Tunneling FET, TFET) 比傳統(tǒng)的 CMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有更優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，更適用于超低功耗的電路。TEFT ...

2022-09-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶格 1845 0

晶體管工作狀態(tài)的分類(lèi)與分析

晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類(lèi)：雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。BJT由發(fā)射極（Emitter）、基極（B...

2024-12-03 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體晶體管 1789 0

如何判斷MOS管是否損壞

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子電路中常用的一種功率放大器件，因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，由于其...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1789 0

SiC相對(duì)于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢(shì)如何

碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn)，即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今，出于多種原因，希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...

2023-10-13 標(biāo)簽：處理器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1745 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...

2020-11-13 標(biāo)簽：適配器服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1667 0

pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容？

pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容？ PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件，其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用，例如...

2023-10-19 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池整流器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1666 0

EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊——EPC9151

面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。

2020-12-22 標(biāo)簽：EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1661 0

一種功耗非常低的新型2D晶體管

為了提高隧道開(kāi)關(guān)器件在 ON/OFF 電流比、亞閾值擺幅和 ON 電流密度方面的性能，一些研究試圖開(kāi)發(fā)僅使用硅和 III-V 半導(dǎo)體或 2D 半導(dǎo)體的器件。

2022-11-10 標(biāo)簽：三極管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1629 0

為什么源極跟隨器的噪聲性能很差？

為什么源極跟隨器的噪聲性能很差？ 源極跟隨器是一種簡(jiǎn)單的放大器電路，它可以用來(lái)放大信號(hào)并提高電路的輸入電阻。源極跟隨器的噪聲性能往往會(huì)比其他放大器電路差...

2023-09-20 標(biāo)簽：放大器跟隨器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1594 0

一種用于檢測(cè)SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器

隨著新型冠狀病毒（SARS-CoV-2）的傳播，對(duì)快速、準(zhǔn)確檢測(cè)和篩查新冠病毒肺炎（COVID-19）患者的工具的需求日益增加。

2023-03-27 標(biāo)簽：傳感器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1578 0

東芝面向超低功率MCU開(kāi)發(fā)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管

東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布面向超低功率微控制器（MCU）開(kāi)發(fā)采用新工作原理的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）。

2014-10-08 標(biāo)簽：MCU場(chǎng)效應(yīng)晶體管東芝公司 1527 0

GaN氮化鎵材料，主要適用于哪些領(lǐng)域

GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進(jìn)一步降低用戶(hù)的使用門(mén)檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì)，很有...

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1515 0

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1505 0