集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立

北京3月22日電 （記者 劉垠）22日，由62家龍頭企業(yè)和機(jī)構(gòu)等發(fā)起的“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”在京成立，成員單位涵蓋互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、信息系統(tǒng)集成、電...

2017-03-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體技術(shù) 1219 0

全球整合半導(dǎo)體行業(yè) 中國(guó)企業(yè)極速發(fā)展中

近年來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)中的百億美元并購(gòu)事件不斷，僅近兩年就發(fā)生8起。通過(guò)全球性的大整合，資源將越來(lái)越向領(lǐng)先企業(yè)集中，壟斷優(yōu)勢(shì)愈趨明顯。與此同時(shí)，我國(guó)的集成...

2017-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1214 0

瑞薩電子成為首家獲得“最佳合作伙伴獎(jiǎng)”“科技發(fā)展貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”等三項(xiàng)大獎(jiǎng)的松下供應(yīng)商

2016年11月30日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)在松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社(TSE：6752)舉辦的...

2016-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)瑞薩電子車載娛樂(lè)系統(tǒng) 1203 0

小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，納微氮化鎵技術(shù)走向世界

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。

2021-03-15 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1192 0

大咖云集成都！為您分析下世代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)

萬(wàn)眾矚目的“下世代半導(dǎo)體應(yīng)用商機(jī)及趨勢(shì)論壇”即將到來(lái)，你準(zhǔn)備好了嗎？

2017-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)中電展 1155 0

Wolfspeed與捷豹TCS賽車隊(duì)達(dá)成戰(zhàn)略合作

Wolfspeed 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體于 2017 年就已經(jīng)在捷豹 TCS Formula E（國(guó)際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽）賽車隊(duì)開(kāi)發(fā)的動(dòng)力總成中...

2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)碳化硅Wolfspeed 1105 0

利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

半導(dǎo)體工藝的開(kāi)發(fā)絕非易事，每一代器件研發(fā)的難度和成本在不斷提升。用傳統(tǒng)的先構(gòu)建再測(cè)試的方法來(lái)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的工藝過(guò)于耗時(shí)且成本過(guò)高，如今已經(jīng)不再適用。

2020-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)芯片設(shè)計(jì)虛擬制造 1103 0

蘇姿豐榮獲2024年imec終身創(chuàng)新獎(jiǎng)，推動(dòng)高性能自適應(yīng)計(jì)算創(chuàng)新

其中，imec首席執(zhí)行官Luc Van den hove表示：“我謹(jǐn)代表imec歡迎蘇姿豐博士加入這個(gè)聚集眾多行業(yè)翹楚的榮譽(yù)殿堂。自2014年擔(dān)任AMD...

2024-03-08 標(biāo)簽：amd半導(dǎo)體技術(shù)IMEC 1102 0

AI Chiplet企業(yè)原粒半導(dǎo)體，成立僅兩月完成種子輪融資

原粒（北京）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“原粒半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)千萬(wàn)韓元種子輪融資英諾天使基金領(lǐng)投、中科創(chuàng)星、中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)、清科創(chuàng)投、水木清華校友種...

2023-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)AI芯片chiplet 1099 0

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝，支持嵌入式相變存儲(chǔ)器

據(jù)悉，F(xiàn)D-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指...

2024-03-21 標(biāo)簽：mcu存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 1070 0

荷蘭限制半導(dǎo)體技術(shù)出口對(duì)行業(yè)有何影響？

3月8日，荷蘭政府表示，計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)出口實(shí)施新的限制以保護(hù)國(guó)家安全，加入美國(guó)遏制對(duì)華芯片出口的行列。

2023-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)光刻機(jī)ASML 1068 0

臺(tái)積電計(jì)劃于2025年量產(chǎn)2納米

其中，2納米芯片的制程技術(shù)要求極高，需要采用全新的晶體管架構(gòu)、高精度材料和設(shè)備，同時(shí)對(duì)制程參數(shù)的精度和穩(wěn)定性要求更高，因此需要研發(fā)更加先進(jìn)的制程技術(shù)。

2023-10-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1047 0

美方斥資50億美元推進(jìn)半導(dǎo)體研究與發(fā)展

國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心作為公私合作組織，將匯聚各方資源，加速創(chuàng)新進(jìn)程，降低半導(dǎo)體研發(fā)門檻，滿足對(duì)高技能、多元化半導(dǎo)體人才的需求。該中心將協(xié)助新型芯片的設(shè)計(jì)及...

2024-04-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體技術(shù)人工智能 1012 0

美國(guó)防部授予格芯價(jià)值31億美元、為期10年的新安全芯片制造合同

本月支付了1730萬(wàn)美元的初始支付金，10年31億美元的支出上限，新合同為國(guó)防部和承包商提供了使用美國(guó)工廠生產(chǎn)的電網(wǎng)芯片半導(dǎo)體技術(shù)的機(jī)會(huì)。這些設(shè)施得到了...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片電網(wǎng)半導(dǎo)體技術(shù) 999 0

國(guó)博電子2023年?duì)I收達(dá)35億，利潤(rùn)增長(zhǎng)17%；2024年將加大產(chǎn)品研發(fā)力度

對(duì)于2024年業(yè)績(jī)展望，國(guó)博電子在投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中明確指出，公司將于明年加大產(chǎn)品研發(fā)力度，充分利用化合物半導(dǎo)體技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為公司在新一輪有源相控陣T...

2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)相控陣 987 0

半導(dǎo)體技術(shù)的突破將使網(wǎng)速有千百倍成長(zhǎng)空間

半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說(shuō)，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(zhǎng)空間。

2016-11-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)網(wǎng)速FinFET 964 0