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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體工藝
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IMEC上周宣布了一項(xiàng)新的技術(shù),制造了全球最小的SRAM芯片
地球上除了IBM、英特爾、臺(tái)積電、三星具有強(qiáng)大的半導(dǎo)體工藝研發(fā)技術(shù)實(shí)力之外,比利時(shí)微電子中心IMEC也是全球知名的半導(dǎo)體研發(fā)中心,國(guó)內(nèi)的14nm Fin...
2018-05-29 標(biāo)簽:imecfinfet半導(dǎo)體工藝 2521 0
根據(jù)測(cè)試和用戶的數(shù)據(jù)顯示,即使考慮到誤差,iPhone 6s和6s Plus上采用的兩種芯片續(xù)航差異只在2-3%之間。
2015-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體工藝A9芯片 2170 0
報(bào)道稱Intel考慮將芯片外包給臺(tái)積電:用上最先進(jìn)工藝
很顯然,這一波兒的競(jìng)爭(zhēng)Intel是要落后AMD的,而后者起來(lái)的其中一個(gè)原因是臺(tái)積電先進(jìn)的工藝制程,而Intel正在醞釀新的調(diào)整,并以此追上。 據(jù)外媒最新...
7月12日快訊:LED洗牌/中國(guó)半導(dǎo)體工藝獲突破
據(jù)最新消息,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心,在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上,實(shí)現(xiàn)了重要突破。
2013-07-12 標(biāo)簽:LED封裝半導(dǎo)體工藝電子快訊 2147 0
老兵回歸擔(dān)任CEO 讓Intel半導(dǎo)體工藝再次偉大
今天Intel公司發(fā)布了2020年Q4及全年財(cái)報(bào),參會(huì)的高管中除了現(xiàn)任CEO、CFO等人之外,2月份接任CEO的帕特·基辛格也參加了會(huì)議,這種安排也非比...
2021-01-23 標(biāo)簽:CEOintel半導(dǎo)體工藝 2125 0
新技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:據(jù)信,英特爾已經(jīng)通過(guò)最新技術(shù)——浸潤(rùn)式微影技術(shù),半導(dǎo)體工藝再次獲得突破。
針對(duì)該情況,工程師們想出了一些熱管理策略:例如通過(guò)增加PCB導(dǎo)熱系數(shù)(高TC)來(lái)提升散熱能力;側(cè)重于讓材料和器件能夠經(jīng)受更高操作溫度(高TD裂解溫度)的...
2017-01-03 標(biāo)簽:PCB半導(dǎo)體工藝散熱板 2100 0
微影技術(shù)日益精進(jìn) 半導(dǎo)體工藝持續(xù)成長(zhǎng)
半導(dǎo)體工業(yè)在光學(xué)微影技術(shù)的幫助下,長(zhǎng)期形成持續(xù)且快速的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),但光學(xué)微影在面對(duì)更精密的制程已開(kāi)始出現(xiàn)應(yīng)用瓶頸,尤其在小于0.1微米或更精密的制程,必須...
2014-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝微影技術(shù) 2063 0
工業(yè)泵在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗設(shè)備中的應(yīng)用
【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中,后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究,論述不同藥液與機(jī)臺(tái)...
2023-04-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝 1893 0
PCB布線及表面處理工藝大盤(pán)點(diǎn)TOP8
PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大,好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情,但是應(yīng)該注意到:長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下,PCB的...
2016-12-15 標(biāo)簽:PCB自動(dòng)布線半導(dǎo)體工藝 1887 0
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)要超過(guò)韓國(guó),成為全球第一?
臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法,希望在8英寸過(guò)渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí),以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來(lái)取勝。結(jié)果臺(tái)灣并未成功,三星及SK海力士仍雄居全...
2017-01-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體工藝 1882 0
北方華創(chuàng)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
9月17日,北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息,目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其優(yōu)秀的工藝...
2023-09-20 標(biāo)簽:自動(dòng)控制熱處理鉭電容器 1838 0
IMEC在大會(huì)中表示:2036年將迎來(lái)0.2nm工藝
近日,全球知名微電子研究中心IMEC發(fā)布了一篇關(guān)于未來(lái)半導(dǎo)體工藝發(fā)展的報(bào)告,并且在比利時(shí)的FUTURE SUMMITS 2022大會(huì)上放出了半導(dǎo)體工藝發(fā)...
2022-05-23 標(biāo)簽:IMEC半導(dǎo)體工藝 1697 0
SK海力士系統(tǒng)IC主要專注于晶圓代工業(yè)務(wù),服務(wù)對(duì)象為沒(méi)有晶圓廠的IC設(shè)計(jì)商。據(jù)SK海力士表示,分拆晶圓代工業(yè)務(wù)主要目的是想強(qiáng)化這方面的競(jìng)爭(zhēng)力。
2017-07-12 標(biāo)簽:海力士晶圓代工半導(dǎo)體工藝 1676 4
工藝性能大提升 可實(shí)現(xiàn)最大6GB內(nèi)存封裝
三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級(jí)20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4(低功耗雙數(shù)據(jù)速率4)移動(dòng)DRAM。
2015-09-11 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體工藝LPDDR4 1665 0
我們處于EDA融合時(shí)代 更多的算法工具涌現(xiàn)
現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)流程,可以劃分為,spec定義,架構(gòu)定義,功能設(shè)計(jì)(RTL),邏輯設(shè)計(jì)(logic design), 電路設(shè)計(jì)(circuit design...
2020-12-24 標(biāo)簽:算法芯片設(shè)計(jì)eda 1623 0
北方華創(chuàng)公開(kāi)“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別...
2023-12-06 標(biāo)簽:邏輯器件半導(dǎo)體工藝刻蝕 1505 0
其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構(gòu)為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...
2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1489 0
采用全新工藝方法,超越微細(xì)化界限的世界最小※元器件“RASMID?系列”
近年來(lái),伴隨著各種設(shè)備的高性能化發(fā)展,對(duì)元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下,ROHM很早就開(kāi)始利用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)化技術(shù),不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng)新...
2013-11-07 標(biāo)簽:二極管ROHM半導(dǎo)體工藝 1482 0
臺(tái)積電擬在大陸設(shè)12寸廠,助力大陸半導(dǎo)體發(fā)展
12月22日消息,綜合臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音在法說(shuō)會(huì)上透露,臺(tái)積電不排除在大陸設(shè)立12寸晶圓廠列入考慮。
2014-12-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電中芯半導(dǎo)體工藝 1388 0
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