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半導(dǎo)體工藝

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半導(dǎo)體工藝資訊

IMEC上周宣布了一項(xiàng)新的技術(shù),制造了全球最小的SRAM芯片

IMEC上周宣布了一項(xiàng)新的技術(shù),制造了全球最小的SRAM芯片

地球上除了IBM、英特爾、臺(tái)積電、三星具有強(qiáng)大的半導(dǎo)體工藝研發(fā)技術(shù)實(shí)力之外,比利時(shí)微電子中心IMEC也是全球知名的半導(dǎo)體研發(fā)中心,國(guó)內(nèi)的14nm Fin...

2018-05-29 標(biāo)簽:imecfinfet半導(dǎo)體工藝 2521 0

揭秘蘋(píng)果搭載的A9芯片續(xù)航差異真相

根據(jù)測(cè)試和用戶的數(shù)據(jù)顯示,即使考慮到誤差,iPhone 6s和6s Plus上采用的兩種芯片續(xù)航差異只在2-3%之間。

2015-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體工藝A9芯片 2170 0

報(bào)道稱Intel考慮將芯片外包給臺(tái)積電:用上最先進(jìn)工藝

很顯然,這一波兒的競(jìng)爭(zhēng)Intel是要落后AMD的,而后者起來(lái)的其中一個(gè)原因是臺(tái)積電先進(jìn)的工藝制程,而Intel正在醞釀新的調(diào)整,并以此追上。 據(jù)外媒最新...

2021-01-09 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電intel 2162 0

7月12日快訊:LED洗牌/中國(guó)半導(dǎo)體工藝獲突破

據(jù)最新消息,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心,在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上,實(shí)現(xiàn)了重要突破。

2013-07-12 標(biāo)簽:LED封裝半導(dǎo)體工藝電子快訊 2147 0

老兵回歸擔(dān)任CEO 讓Intel半導(dǎo)體工藝再次偉大

今天Intel公司發(fā)布了2020年Q4及全年財(cái)報(bào),參會(huì)的高管中除了現(xiàn)任CEO、CFO等人之外,2月份接任CEO的帕特·基辛格也參加了會(huì)議,這種安排也非比...

2021-01-23 標(biāo)簽:CEOintel半導(dǎo)體工藝 2125 0

新技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?

新技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:據(jù)信,英特爾已經(jīng)通過(guò)最新技術(shù)——浸潤(rùn)式微影技術(shù),半導(dǎo)體工藝再次獲得突破。

2012-09-13 標(biāo)簽:英特爾四核處理器四核芯片 2107 0

相對(duì)一般的熱管理方案,92ML材料到底贏在哪里?

針對(duì)該情況,工程師們想出了一些熱管理策略:例如通過(guò)增加PCB導(dǎo)熱系數(shù)(高TC)來(lái)提升散熱能力;側(cè)重于讓材料和器件能夠經(jīng)受更高操作溫度(高TD裂解溫度)的...

2017-01-03 標(biāo)簽:PCB半導(dǎo)體工藝散熱板 2100 0

微影技術(shù)日益精進(jìn) 半導(dǎo)體工藝持續(xù)成長(zhǎng)

半導(dǎo)體工業(yè)在光學(xué)微影技術(shù)的幫助下,長(zhǎng)期形成持續(xù)且快速的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),但光學(xué)微影在面對(duì)更精密的制程已開(kāi)始出現(xiàn)應(yīng)用瓶頸,尤其在小于0.1微米或更精密的制程,必須...

2014-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝微影技術(shù) 2063 0

工業(yè)泵在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗設(shè)備中的應(yīng)用

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【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中,后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究,論述不同藥液與機(jī)臺(tái)...

2023-04-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝 1893 0

PCB布線及表面處理工藝大盤(pán)點(diǎn)TOP8

PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大,好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情,但是應(yīng)該注意到:長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下,PCB的...

2016-12-15 標(biāo)簽:PCB自動(dòng)布線半導(dǎo)體工藝 1887 0

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)要超過(guò)韓國(guó),成為全球第一?

臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法,希望在8英寸過(guò)渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí),以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來(lái)取勝。結(jié)果臺(tái)灣并未成功,三星及SK海力士仍雄居全...

2017-01-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體工藝 1882 0

北方華創(chuàng)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

9月17日,北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息,目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其優(yōu)秀的工藝...

2023-09-20 標(biāo)簽:自動(dòng)控制熱處理鉭電容器 1838 0

IMEC在大會(huì)中表示:2036年將迎來(lái)0.2nm工藝

近日,全球知名微電子研究中心IMEC發(fā)布了一篇關(guān)于未來(lái)半導(dǎo)體工藝發(fā)展的報(bào)告,并且在比利時(shí)的FUTURE SUMMITS 2022大會(huì)上放出了半導(dǎo)體工藝發(fā)...

2022-05-23 標(biāo)簽:IMEC半導(dǎo)體工藝 1697 0

SK海力士做晶圓代工,到底瞄準(zhǔn)了什么?

SK海力士系統(tǒng)IC主要專注于晶圓代工業(yè)務(wù),服務(wù)對(duì)象為沒(méi)有晶圓廠的IC設(shè)計(jì)商。據(jù)SK海力士表示,分拆晶圓代工業(yè)務(wù)主要目的是想強(qiáng)化這方面的競(jìng)爭(zhēng)力。

2017-07-12 標(biāo)簽:海力士晶圓代工半導(dǎo)體工藝 1676 4

工藝性能大提升 可實(shí)現(xiàn)最大6GB內(nèi)存封裝

三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級(jí)20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4(低功耗雙數(shù)據(jù)速率4)移動(dòng)DRAM。

2015-09-11 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體工藝LPDDR4 1665 0

我們處于EDA融合時(shí)代 更多的算法工具涌現(xiàn)

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現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)流程,可以劃分為,spec定義,架構(gòu)定義,功能設(shè)計(jì)(RTL),邏輯設(shè)計(jì)(logic design), 電路設(shè)計(jì)(circuit design...

2020-12-24 標(biāo)簽:算法芯片設(shè)計(jì)eda 1623 0

北方華創(chuàng)公開(kāi)“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

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該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別...

2023-12-06 標(biāo)簽:邏輯器件半導(dǎo)體工藝刻蝕 1505 0

10納米FinFET工藝制程的Exynos8895呼之欲出

其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構(gòu)為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...

2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1489 0

采用全新工藝方法,超越微細(xì)化界限的世界最小※元器件“RASMID?系列”

近年來(lái),伴隨著各種設(shè)備的高性能化發(fā)展,對(duì)元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下,ROHM很早就開(kāi)始利用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)化技術(shù),不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng)新...

2013-11-07 標(biāo)簽:二極管ROHM半導(dǎo)體工藝 1482 0

臺(tái)積電擬在大陸設(shè)12寸廠,助力大陸半導(dǎo)體發(fā)展

12月22日消息,綜合臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音在法說(shuō)會(huì)上透露,臺(tái)積電不排除在大陸設(shè)立12寸晶圓廠列入考慮。

2014-12-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電中芯半導(dǎo)體工藝 1388 0

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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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    盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具,但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過(guò)一定的分解,都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式,而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類,這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似!
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    角度傳感器
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    角度傳感器,顧名思義,是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔,可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí),軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈,角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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    DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元,利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始,再透過(guò)光罩層的使用,制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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    ov7620是一款CMOS攝像頭器件,是彩色CMOS型圖像采集集成芯片,提供高性能的單一小體積封裝,該器件分辨率可以達(dá)到640X480,傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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    無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成,是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。 無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器(或集電環(huán))的電機(jī),又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候,產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式,即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī),這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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    識(shí)別技術(shù)
    +關(guān)注
    所謂識(shí)別技術(shù),也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù),通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息,并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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