天眼查發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，近期北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司成功申請(qǐng)并獲得多項(xiàng)專利信息。其中引人注目的一項(xiàng)名為“一種含硅有機(jī)介電層的刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”的專利，其公開號(hào)為CN117174582A。

該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。在第一刻蝕步驟中，使用的刻蝕氣體至少包含氧氣；而在第二刻蝕步驟中，則需要將含氧氣體和含氟氣體混合使用。這種巧妙的設(shè)計(jì)使我們能夠通過(guò)交替執(zhí)行這兩個(gè)步驟，靈活地調(diào)整含氧氣體和含氟氣體的氣體比例，從而控制和影響含硅有機(jī)介電層中各種不同元素的刻蝕速度，進(jìn)一步降低含硅有機(jī)介電層中可能形成的溝槽或者通孔底部的微小凹點(diǎn)和突起等問(wèn)題，進(jìn)而使溝槽或通孔底部呈現(xiàn)出平滑的表面形狀，有效防止了溝槽或通孔底部聚集過(guò)多的電場(chǎng)應(yīng)力，從而確保了電子器件性能的穩(wěn)定性。

根據(jù)權(quán)威消息來(lái)源，北方華創(chuàng)在半導(dǎo)體工藝裝備研發(fā)領(lǐng)域取得了顯著成果，其產(chǎn)品涵蓋了例如刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長(zhǎng)等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，廣泛應(yīng)用于邏輯器件、存儲(chǔ)器件、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等相關(guān)制造業(yè)的生產(chǎn)流程中。