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半導體器件

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半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉(zhuǎn)換。

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半導體器件技術(shù)

MOS的開啟電壓測試方法及步驟

MOS（金屬氧化物半導體）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導體器件，具有許多重要特性，如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開啟電壓（Vth）是其工作...

2024-08-01 標簽：電子設(shè)備 MOS 半導體器件 5320 0

可控硅的觸發(fā)電壓一般是多少

可控硅，又稱為硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR），是一種四層三端半導體器件，具有單向?qū)щ娦?，廣泛應(yīng)用于電...

2024-07-31 標簽：可控硅電壓半導體器件 5257 0

電力調(diào)整器的工作原理、特性及控制方法

電力調(diào)整器SCR（Silicon Controlled Rectifier）是一種半導體器件，用于控制電壓和電流的輸出。它廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如交流...

2024-07-15 標簽：引腳調(diào)整器半導體器件 5174 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...

2023-02-05 標簽：晶圓氮化鎵半導體器件 5145 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 5130 0

晶閘管的主要參數(shù)有哪些

晶閘管作為一種重要的半導體器件，其主要參數(shù)決定了其在電路中的應(yīng)用和性能。以下是晶閘管的主要參數(shù)概述：一、電壓參數(shù) 斷態(tài)重復峰值電壓（UDRM）：定...

2024-09-24 標簽：電路晶閘管半導體器件 5099 0

高級封裝技術(shù)：創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連

在過去的幾年中，已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供了極大的靈活性，使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...

2021-04-01 標簽：信號完整性系統(tǒng)設(shè)計半導體器件 5097 0

可控硅的三個腳分別是什么

可控硅，也稱為晶閘管（Thyristor），是一種半導體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它具有單向?qū)щ娦裕梢酝ㄟ^控制信號來控制其導通和截止狀態(tài)?？煽毓璧?..

2024-07-25 標簽：可控硅晶閘管半導體器件 5081 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiC GaN 半導體器件 5034 0

光電二極管的工作原理

光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導體器件。它的工作原理基于光照射在半導體材料上時，光子與材料中的電子相互作用，激發(fā)電子從價帶躍遷到導帶，從而產(chǎn)生...

2023-11-24 標簽：PN結(jié)光通信電能 5021 0

固態(tài)繼電器和可控硅的區(qū)別是什么

固態(tài)繼電器（SSR）和可控硅（SCR）是兩種不同類型的電子器件，它們在電路中扮演著不同的角色。在本文中，我們將詳細介紹固態(tài)繼電器和可控硅的區(qū)別，包括它們...

2024-06-21 標簽：可控硅固態(tài)繼電器電子器件 4970 0

輻射對元器件的作用機理

當帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時，引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對，在外加電場條件下，電子在1ps(1×10-12s)時間內(nèi)被電...

2024-02-27 標簽：元器件電子系統(tǒng)MOS 4900 0

什么是紅外焦平面探測器制冷紅外焦平面探測器的工作原理

紅外線是電磁波的一種，其波長范圍介于可見光與無線電波之間，為0.76～1000μm。根據(jù)大氣窗口、紅外應(yīng)用和探測器響應(yīng)等，紅外線可以進一步劃分為近紅外線...

2023-07-20 標簽：紅外線無線電波探測系統(tǒng) 4885 0

單向可控硅工作原理是什么

單向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR）是一種半導體器件，具有單向?qū)щ娦院涂煽匦浴Ｋ梢钥醋魇嵌O管和晶體管的...

2023-12-19 標簽：電流單向可控硅半導體器件 4846 0

說明pnp型晶體管各個工作區(qū)的工作條件

PNP型晶體管是一種半導體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由N型半導體和P型半導體組成，具有三個主要區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。PNP型晶體管的工作區(qū)主要...

2024-08-23 標簽：晶體管電子電路 pnp 4798 0

T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)

半導體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數(shù)，是半導體器件最重要的熱性能參數(shù)之一，它必須被標注到器件尤...

2023-06-09 標簽：熱電偶 IGBT STD 4767 0

三極管的三種工作狀態(tài)科普

三極管全稱為半導體三極管，是一種控制電流的半導體器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。

2024-02-22 標簽：三極管半導體器件 4707 0

固態(tài)繼電器的接線方法固態(tài)繼電器的優(yōu)點及缺點

固態(tài)繼電器（Solid State Relay，SSR）是一種用半導體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電磁繼電器實現(xiàn)控制的電器設(shè)備。相比于電磁繼電器，固態(tài)繼電器具有許多優(yōu)...

2024-01-30 標簽：接線電動機固態(tài)繼電器 4696 0

如何看懂MOS管的每一個參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會導致元件損壞。

2024-03-18 標簽：MOS管導通電阻晶體管 4678 0

功率半導體的概述

功率半導體又稱作電力半導體，是用來對電能進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制，改變電力變換裝置中的電壓或電流的波形?幅值?相位?頻率等參數(shù)的一種半導體器件。

2023-02-06 標簽：功率半導體半導體器件電力半導體 4647 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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