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標(biāo)簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。
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國(guó)產(chǎn)碳化硅功率模塊升級(jí)APF有源濾波器
BASiC Semiconductor(基本股份)作為APF有源濾波器行業(yè)產(chǎn)品升級(jí)首選的國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊供應(yīng)商,傾佳電子楊茜從技術(shù)、市場(chǎng)、供...
質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果
質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊在APF(有源電力濾波器)和PCS(儲(chǔ)能變流器)等電力電子...
通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局
結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率...
全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”)在其太陽(yáng)能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Cen...
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊:中國(guó)工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS廠(chǎng)商出海的“技術(shù)引擎”
在全球能源轉(zhuǎn)型與碳中和目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)正經(jīng)歷技術(shù)代際更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高頻高效、耐高溫高壓等特性,成為儲(chǔ)能變流器(P...
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì)
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì) 三相四橋臂拓?fù)浣Y(jié)合碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS),在新能源和電力電子領(lǐng)...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動(dòng)板不僅是SiC MOSFET的“智...
BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強(qiáng)散熱、高集成度及完整生態(tài)支持 ,成為工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的理想選擇。其通過(guò)優(yōu)化動(dòng)態(tài)特性與熱管理,顯著提升系...
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單...
部分外資廠(chǎng)商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響
部分IGBT模塊廠(chǎng)商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行...
揭秘推拉力測(cè)試機(jī):如何助力于IGBT功率模塊封裝測(cè)試?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)變頻等領(lǐng)域,其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中,焊接強(qiáng)度、引線(xiàn)鍵合...
選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元
傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開(kāi)關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì),成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...
效率高達(dá)98.x%?揭開(kāi)SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的面紗
效率高達(dá)98.x%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的SiC碳化硅模塊解決方案揭秘 ? ? 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì) SiC MOSFET特性 耐高壓高溫:支持1200V高壓...
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新
在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開(kāi)關(guān)頻率,難以滿(mǎn)足高效、高頻、高溫場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...
SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢(shì)
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢(shì) 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(...
62mm半橋SiC碳化硅MSOFET功率模塊 BMF540R12KA3應(yīng)用場(chǎng)景
國(guó)產(chǎn)62mm半橋碳化硅功率模塊 BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 的全面分析,包括產(chǎn)品力評(píng)估、應(yīng)用場(chǎng)景及具體解決方案: 一、產(chǎn)品力分析...
傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
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