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功率晶體管

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功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。

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功率晶體管技術(shù)

關(guān)于RS232、TTL電平轉(zhuǎn)換集成電路的簡(jiǎn)單介紹

許多單片機(jī)的應(yīng)用中都會(huì)使用到串行口與電腦的串行口相連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸或控制命令的發(fā)送與接收。單片機(jī)的串口有很大一部分是使用電平標(biāo)準(zhǔn)的（PIC的可以直接...

2018-05-09 標(biāo)簽：ttl 功率晶體管電平轉(zhuǎn)換電路 2.0萬(wàn) 0

EPC增強(qiáng)型GaN-on-Silicon功率晶體管：EPC2045

低壓氮化鎵（GaN）器件市場(chǎng)越來(lái)越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。

2017-10-18 標(biāo)簽：功率晶體管 1.2萬(wàn) 0

達(dá)林頓晶體管工作原理/特點(diǎn)功能/電路圖

達(dá)林頓晶體管，這是一種高增益的雙極型功率晶體管，其實(shí)質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達(dá)林頓或超a對(duì)（darlington pair或Pmultip丨丨e...

2023-02-19 標(biāo)簽：晶體管達(dá)林頓晶體管高增益 8423 0

PartSim教程:電源仿真

PartSim 是一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的程序，使用戶無(wú)需安裝任何軟件即可創(chuàng)建和模擬電子電路。本文將繼續(xù)探索這個(gè)復(fù)雜的模擬系統(tǒng)所提供的可能性。

2022-07-26 標(biāo)簽：電源功率晶體管 8181 0

GaN功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻對(duì)于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，許多工程師都在努力評(píng)估動(dòng)態(tài) RDS(ON)，因?yàn)楹茈y以足夠的分辨率對(duì)其進(jìn)行一致測(cè)量。...

2021-10-27 標(biāo)簽：電阻晶體管測(cè)量 7646 0

基于NE5532和TIP41A/TIP42A音頻放大器電路

基于構(gòu)建的運(yùn)算放大器 NE5532 和一對(duì)功率晶體管 TIP41A / TIP42A，該音頻放大器電路能夠向 8 歐姆揚(yáng)聲器提供高達(dá) 10W 的音頻功率輸出。

2022-06-17 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 NE5532 功率晶體管 7351 0

TIP32C的特性/引腳排列/應(yīng)用

TIP32C是一款采用JedecTO-220塑料封裝的硅外延基PNP功率晶體管。它適用于中等功率線性和開關(guān)應(yīng)用。互補(bǔ)的NPN類型是TIP31C。本文將系...

2023-06-14 標(biāo)簽：pnp 功率晶體管 6978 0

淺談快速恢復(fù)外延二極管 (FRED) 特性

快速恢復(fù)外延二極管 (FRED) 特性 – 應(yīng)用 – 示例在過(guò)去的 10 年中，電源拓?fù)浒l(fā)生了根本性的變化?，F(xiàn)在構(gòu)建了各種電源，不再需要笨重的 50/...

2021-06-14 標(biāo)簽：二極管 PWM FRED 6919 0

探索晶體管背后的技術(shù)

中、低頻大功率晶體管：中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、場(chǎng)輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點(diǎn)火電路、逆變...

2024-03-31 標(biāo)簽：集成電路功率開關(guān)晶體管 5958 0

400W RMS立體聲功率放大器電路

這是使用功率晶體管工作的400W RMS立體聲功放的示意圖。這款放大器除了提供良好的聲功率外，還具有出色的質(zhì)量和低噪音的高保真度，要獲得 400 瓦，我...

2022-06-06 標(biāo)簽：放大器電路功率晶體管立體聲功放 4887 0

功率晶體管帖子

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？

標(biāo)簽：MOS管 LLC 功率晶體管 13619 0

設(shè)計(jì)技巧：如何給高功率電源選擇合適的隔離驅(qū)動(dòng)？

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帶有模擬接地層和功率接地層的開關(guān)穩(wěn)壓器該怎么用？

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標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

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電源的工作原理是什么

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LDO低壓差線性穩(wěn)壓器解析

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如何提高微波功率晶體管可靠性？

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普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET/IGBT功率晶體管

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增強(qiáng)型GaN功率晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)的解決辦法

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采用低成本功率晶體管的小尺寸10W離線反激電源參考設(shè)計(jì)

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功率晶體管資料下載

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功率晶體管資訊

12V/20A穩(wěn)壓直流電源電路圖

這里是使用5個(gè)功率晶體管MJ2955、穩(wěn)壓器78S12的12V/20A穩(wěn)壓直流電源的電路圖。它將為您提供 12V-15V 20A 的穩(wěn)壓輸出電壓。

2023-08-11 標(biāo)簽：變壓器電路圖 PCB 9983 0

三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn)

三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn) 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見的電力電子整流電路。它們?cè)谝恍┕I(yè)應(yīng)用中具有重要作...

2024-02-19 標(biāo)簽：晶閘管整流電路功率晶體管 8789 0

EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低

氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，...

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EPC發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，Efficient Power Conversion（EPC，美國(guó)宜普電源轉(zhuǎn)換公司）發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050...

2018-05-25 標(biāo)簽：epc 功率晶體管 5583 0

氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件

氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論...

2016-02-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率晶體管 4403 0

2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高增長(zhǎng)14％

根據(jù)2019年的報(bào)告，功率晶體管的銷售額增長(zhǎng)率達(dá)到兩位數(shù)，再創(chuàng)新高。

2019-05-17 標(biāo)簽：IGBT 功率晶體管 4350 0

電子負(fù)載和電阻負(fù)載區(qū)別

電子負(fù)載和電阻負(fù)載區(qū)別電子負(fù)載和電阻負(fù)載是電子學(xué)中常見的兩種負(fù)載，它們?cè)跍y(cè)試電路、進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來(lái)模擬負(fù)載...

2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器變頻器 3772 0

霍爾傳感廠商：丹東華奧電子有限公司簡(jiǎn)介

丹東華奧電子有限公司成立于2001年,專業(yè)從事汽車/摩托車電子電器配套用集成電路和晶體管開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、推廣應(yīng)用和服務(wù)。產(chǎn)品出口國(guó)際市場(chǎng)。公司為汽...

2021-04-02 標(biāo)簽：集成電路傳感器芯片霍爾傳感 3678 0

Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體...

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大電流恒流源電路

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2023-08-27 標(biāo)簽：比較器 led驅(qū)動(dòng)器恒流源 3352 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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