探討功率器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)

由于以前器件的存在，多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式，而不是更習(xí)見(jiàn)的集成電路封裝；其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...

2018-11-16 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 6683 0

英飛凌推出第二代適用于各式LIN伺服電機(jī)控制應(yīng)用的嵌入式功率器件

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（So...

2018-09-30 標(biāo)簽：英飛凌嵌入式功率器件 2779 0

三菱電機(jī)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件亮相PCIM亞洲展

6月26日至28日，PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件產(chǎn)品（IGBT、IPM、DIPIPM、H...

2018-09-11 標(biāo)簽：三菱功率器件IPM 1156 0

中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類(lèi)型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Jun...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電力電子 3.1萬(wàn) 0

功率器件市場(chǎng)現(xiàn)狀：歐美日把持，國(guó)內(nèi)仍需努力

縱觀整個(gè)功率器件市場(chǎng)，整體態(tài)勢(shì)是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、M...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理功率器件 1.3萬(wàn) 0

應(yīng)迅速擴(kuò)大的市場(chǎng)需求，國(guó)際功率器件廠商紛紛發(fā)力汽車(chē)市場(chǎng)

據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2018年，國(guó)際上有20多家汽車(chē)廠商已經(jīng)在車(chē)載充電機(jī)（OBC）中使用SiC SBD 或SiC MOSFET。此外，特斯拉Model 3的...

2018-08-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體功率器件 3388 0

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目將于本月開(kāi)工！

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目土地成功摘牌，并簽訂了土地出讓合同，這為項(xiàng)目的順利開(kāi)工奠定了基礎(chǔ)。

2018-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 6127 0

功率器件交付周期延長(zhǎng)，關(guān)稅對(duì)英飛凌影響加大

017年，英飛凌營(yíng)收70.63億歐元（約82億美元），意法半導(dǎo)體營(yíng)收83億美元。二者若合并則將誕生165億美元的半導(dǎo)體巨頭，超越博通，成為全球第六大半導(dǎo)...

2018-08-06 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET半導(dǎo)體 5320 0

安森美半導(dǎo)體ATPAK封裝技術(shù)汽車(chē)應(yīng)用提供元件尺寸更小的功率器件

隨著汽車(chē)功能電子化趨勢(shì)的不斷增強(qiáng)，汽車(chē)內(nèi)的電子元件越來(lái)越多，應(yīng)用環(huán)境日益嚴(yán)苛，汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師需要考慮空間和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗...

2018-07-05 標(biāo)簽：封裝安森美半導(dǎo)體功率器件 1518 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈九大廠商推進(jìn)IPO，全面屏手機(jī)面板 Q1滲透率逾4成

全面屏今年加速增長(zhǎng)，如今全面屏在大陸手機(jī)品牌中已經(jīng)成為新機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配置，另外異形切割也快速普及。反映在面板廠商的出貨產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，根據(jù)群智咨詢(xún)（Sigmain...

2018-07-11 標(biāo)簽：智能手機(jī)半導(dǎo)體蘋(píng)果 1065 0

功率器件雪崩耐量測(cè)試

2018-06-20 標(biāo)簽：功率器件IGBT模塊 1.3萬(wàn) 0

3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIMAsia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。 基本半導(dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色...

2018-07-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1083 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，是我國(guó)彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)

近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體...

2018-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 1.1萬(wàn) 0

國(guó)外功率器件的供應(yīng)緊張,國(guó)內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢?

需求仍然強(qiáng)勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價(jià)格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的唯一供應(yīng)商。推出650V SiC，可與高性能...

2018-05-31 標(biāo)簽：IGBT硅晶圓功率器件 5710 0

中國(guó)IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動(dòng)力

由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此在電機(jī)控...

2018-05-28 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)IGBT功率器件 6881 0

中芯國(guó)際聚焦于MEMS與功率器件 為未來(lái)工藝市場(chǎng)添薪加柴

中芯國(guó)際告訴DIGITIMES，隨著智能化社會(huì)的到來(lái)，智能化設(shè)備中應(yīng)用廣泛的微機(jī)電和功率器件市場(chǎng)需求激增，目前市場(chǎng)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。中芯國(guó)際看好，未來(lái)...

2018-05-28 標(biāo)簽：中芯國(guó)際mems功率器件 6632 0

功率器件簡(jiǎn)介及功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計(jì)報(bào)告當(dāng)中，市場(chǎng)空間有60億美元，這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場(chǎng)份額來(lái)看，我們關(guān)心的是汽車(chē)電子，不管是增長(zhǎng)率和...

2018-05-24 標(biāo)簽：集成電路功率器件 3.3萬(wàn) 0