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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1828個(gè) 瀏覽：92599次 帖子：50個(gè)

      功率器件資訊

      Nexperia迎來獨(dú)立公司成立五周年慶典，未來將繼續(xù)大展宏圖

      Nexperia迎來獨(dú)立公司成立五周年慶典，未來將繼續(xù)大展宏圖

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨(dú)立實(shí)體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導(dǎo)...

      2022-02-09 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體制造Nexperia 2222 0

      2022年世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)年表正式發(fā)布

      世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)旨在幫助研發(fā)工程師提升研發(fā)效率，加速產(chǎn)品落地。每年成功舉辦超過30場(chǎng)的會(huì)議，每年全球頂級(jí)供應(yīng)商的高管、技術(shù)專家在線發(fā)布超過500款新...

      2022-01-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體功率器件 1769 0

      GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

      這幾年第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬美元，相比2019年增長(zhǎng)了...

      2022-01-26 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 6419 0

      回顧2021年國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導(dǎo)體材料，均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比，碳化硅的耐壓等級(jí)更高，可使用的平臺(tái)也...

      2022-01-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體功率器件 3576 0

      快充與新能源汽車市場(chǎng)推動(dòng)GaN功率器件大發(fā)展

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為460...

      2022-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 2060 0

      三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

      三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

      2022-01-24 標(biāo)簽：功率器件碳化硅三安集成 858 0

      全面分析氮化鎵的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來突破

      越來越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵（GaN）這個(gè)專業(yè)名詞，實(shí)際上，正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破，讓第三代半導(dǎo)...

      2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 6578 0

      安世半導(dǎo)體Paul Zhang：電動(dòng)汽車快速發(fā)展，第三代功率半導(dǎo)體正在成為主流

      安世半導(dǎo)體Paul Zhang：電動(dòng)汽車快速發(fā)展，第三代功率半導(dǎo)體正在成為主流

      歲末年初之際，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到超過60位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次，電子發(fā)燒友特別采訪了安世半導(dǎo)...

      2021-12-27 標(biāo)簽：功率器件安世半導(dǎo)體 3073 0

      中國(guó)有沒有芯片制造公司

      半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)群的核心和基礎(chǔ)，是信息技術(shù)的重要保障。隨著半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，世界上有各種半導(dǎo)體晶圓制造、封閉的芯片制造基地和企業(yè)，如...

      2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 3786 0

      瑞能半導(dǎo)體650V碳化硅功率二極管已具備通過車規(guī)認(rèn)證

      近日，空港股份公布了重組的消息，公司擬購買瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞能半導(dǎo)”）的控股權(quán)或全部股權(quán)。與一般的收購不同，本次收購將構(gòu)成重組上市...

      2021-12-25 標(biāo)簽：二極管功率器件瑞能半導(dǎo)體 2763 0

      華潤(rùn)微發(fā)布SiC MOSFET拓寬產(chǎn)品矩陣

      據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2019年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)5.6億美元，預(yù)計(jì)到2024年市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)提升257%約20億美元，其中很大一部主要來自新...

      2021-12-25 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件華潤(rùn)微 1961 0

      影響igbt模塊散熱的因素有哪些？如何降低熱阻？

      影響igbt模塊散熱的因素有哪些？如何降低熱阻？

      igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。

      2022-03-11 標(biāo)簽：IGBT功率器件 9028 0

      GaN功率器件供應(yīng)商聚能創(chuàng)芯與世強(qiáng)達(dá)成戰(zhàn)略合作

      與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率，隨著5G通信...

      2021-12-24 標(biāo)簽：連接器功率器件GaN 1908 0

      全球SiC和GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到56.436億美元

      第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...

      2021-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN器件 3113 0

      森國(guó)科宣布完成C輪億元級(jí)融資

      國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件廠商深圳市森國(guó)科科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“森國(guó)科”）宣布完成C輪億元級(jí)融資。

      2021-12-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體功率器件 2685 0

      宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

      宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

      宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對(duì)象：薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生 采訪主題：薩科微半導(dǎo)體的成長(zhǎng)史的幾個(gè)問題 近年來，在半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”和解...

      2021-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管功率器件 7725 0

      比亞迪已經(jīng)正式向士蘭微下單億元級(jí)車規(guī)級(jí)IGBT

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日，有消息稱，比亞迪已經(jīng)正式向士蘭微下單車規(guī)級(jí)IGBT，訂單金額達(dá)到億元級(jí)。與此同時(shí)，有知情人士表示，獲得訂單的不止是士...

      2021-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體比亞迪功率器件 3714 0

      英特爾布局非硅基半導(dǎo)體集成氮化鎵基功率器件

      英特爾的目標(biāo)是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導(dǎo)體 在不懈推進(jìn)摩爾定律的過程中，英特爾公布了在封裝、晶體管和量...

      2021-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 3506 0

      泛林集團(tuán)發(fā)布Syndion GP，滿足芯片制造商對(duì)先進(jìn)功率器件的需求

      泛林集團(tuán)發(fā)布Syndion GP，滿足芯片制造商對(duì)先進(jìn)功率器件的需求

      進(jìn)一步擴(kuò)大公司在深硅刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，新的半導(dǎo)體制造方案支持用于汽車與智能技術(shù)的芯片開發(fā)。

      2021-12-09 標(biāo)簽：芯片制造功率器件泛林集團(tuán) 1173 0

      派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

      派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

      自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

      2021-12-08 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件SiC 1969 0

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      • 工業(yè)4.0
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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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      • OMAPL138
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        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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