功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)功率器件 1118 0

如何利用IT2800源表快速實現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試？

MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是電路設(shè)計中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件;其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關(guān)...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管功率器件 1113 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1112 0

電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計投資10億美元

市場估計表明，SiC總潛在市場將從2022年的30億美元增長到2030年的210億美元，復(fù)合年增長率為28%。相干公司宣布，電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...

2023-10-12 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率器件電裝 1111 0

上海貝嶺功率器件在電動輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析

在中國電動兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺ｋS著電動自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn)，電動自行車向著低速、高安全性和長續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 控制器功率器件 1110 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1110 0

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。

2023-04-27 標(biāo)簽：電動汽車新能源汽車逆變器 1109 0

常用功率半導(dǎo)體器件知識匯總總結(jié)

晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍?，F(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...

2023-11-09 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件 1104 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計中的應(yīng)用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標(biāo)簽：CMOS 晶圓大電流 1099 0

小信號器件和功率器件又是什么？

隨著小信號器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）也將小信號器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽：分立器件功率器件額定電流 1090 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出...

2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1089 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1089 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 1087 0

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1077 0

功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報告：能源變革大時代，功率器件大市場

MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 ...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 1068 0

常見的PCB散熱方法分析淺談PCB電路板散熱技巧

對于電子設(shè)備來說，工作時都會產(chǎn)生一定的熱量，從而使設(shè)備內(nèi)部溫度迅速上升，電子設(shè)備的可靠性能就會下降，對電路板進(jìn)行很好的散熱處理是非常重要的。

2023-07-18 標(biāo)簽：pcb 電路板電子設(shè)備 1062 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1061 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1057 0

如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設(shè)計

一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過編碼，可減少信號直流成分，從而在發(fā)送交流信號成分時簡化系統(tǒng)設(shè)計。但是，許多數(shù)字輸出傳感器接口（例如，SPI和I2C）尚未經(jīng)過...

2024-04-09 標(biāo)簽：傳感器以太網(wǎng)mems 1055 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件 GaN 功率半導(dǎo)體 1049 0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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