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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線(xiàn)或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...
硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納,特別是電動(dòng)汽車(chē),以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所...
專(zhuān)家分享:高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得
要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Doug...
2014-05-12 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)功率器件 1197 0
通過(guò)PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹(shù)脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。
可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能光伏和電動(dòng)汽車(chē)的創(chuàng)新,1需要具有高...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1178 0
SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開(kāi)關(guān)損耗等特性,能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車(chē)、光伏發(fā)...
PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析
近年來(lái),隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn),直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開(kāi)關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制(pulse width mod...
???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主...
基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車(chē)配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
在低SAE自動(dòng)駕駛級(jí)別(例如,1-2級(jí))下,通常,僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下,進(jìn)入安全狀態(tài)即可——這被稱(chēng)為失效安全架構(gòu)。
2023-01-15 標(biāo)簽:繼電器網(wǎng)絡(luò)安全功率器件 1163 0
功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹
尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下,封裝器件的散熱問(wèn)題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...
2023-09-25 標(biāo)簽:封裝電力系統(tǒng)功率器件 1151 0
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的...
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
過(guò)去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán),這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂(yōu)。為此,在本文中,...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...
淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車(chē)用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利,產(chǎn)品性能...
2023-06-01 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 1140 0
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