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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

浮思特 | 碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī)的總擁有成本——總體情況

在各種應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功之后，碳化硅準(zhǔn)備進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)激烈的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)。碳化硅功率模塊的實(shí)際好處不僅僅局限于效率提升。對(duì)比兩種電機(jī)驅(qū)動(dòng)類型可以看到在各...

2024-12-05 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅工業(yè)電機(jī) 774 0

功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角

近年來(lái)，隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升，在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中，功率半導(dǎo)體無(wú)疑是受益最大的領(lǐng)域；其高效能與低損耗特性，為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 汽車產(chǎn)業(yè) 770 0

三菱電機(jī)斥資100億日元新建封測(cè)工廠

三菱電機(jī)近日宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃，將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該工廠預(yù)計(jì)于2026年10月正式投入運(yùn)營(yíng)...

2024-12-02 標(biāo)簽：封裝三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 623 0

三菱電機(jī)斥資100億日元新建專門封測(cè)工廠，提升功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)效率

? ? 三菱電機(jī)本月正式宣布計(jì)劃投資約 100 億日元，在其位于日本福岡縣福岡市的功率器件制作所新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠，目標(biāo) 2026 年...

2024-11-29 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體封測(cè) 811 0

高壓低漏電開關(guān)矩陣RM1013-HV，滿足功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試應(yīng)用！

10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV，能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測(cè)量，完成各種高精度的半導(dǎo)體表征測(cè)試。能夠深入剖析并...

2024-12-02 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體開關(guān)矩陣 706 0

一文看懂2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)展望

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正在經(jīng)歷庫(kù)存調(diào)整，幾乎涵蓋了從消費(fèi)到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場(chǎng)。然而，在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體正大放異彩，同...

2024-11-22 標(biāo)簽：SiC 人工智能 GaN 4909 0

100億日元！三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)廠

來(lái)源：三菱電機(jī)官網(wǎng) 三菱電機(jī)集團(tuán)11月20日宣布，將投資約100億日元（約4.67億元），在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)...

2024-11-22 標(biāo)簽：模塊三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 563 0

三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該計(jì)劃最初于2023年3月14日宣布，...

2024-11-20 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率器件功率半導(dǎo)體 1231 0

博世如何應(yīng)對(duì)SiC器件短路問(wèn)題

碳化硅（SiC）器件在電力電子領(lǐng)域中因其高效、高溫和高頻特性而被廣泛應(yīng)用。尤其在電動(dòng)汽車、光伏逆變器、高壓電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等對(duì)功率密度、轉(zhuǎn)換效率以及工...

2024-11-18 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體博世 1486 0

聞泰科技榮獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，在備受矚目的2024年度全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上，聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，榮獲“...

2024-11-18 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 1023 0

投資近5億，林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用

來(lái)源：上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日，上海林眾電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱林眾電子）研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū)，占地...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 功率半導(dǎo)體 652 0

三菱電機(jī)供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅（Si）晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片晶圓三菱電機(jī) 741 0

上海貝嶺榮獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器獎(jiǎng)項(xiàng)

近日，上海貝嶺市場(chǎng)工業(yè)市場(chǎng)經(jīng)理冒晶晶受邀參加由全球技術(shù)信息集團(tuán) ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)”。會(huì)議中...

2024-11-14 標(biāo)簽：集成電路功率半導(dǎo)體上海貝嶺 721 0

安森美產(chǎn)品有什么優(yōu)勢(shì)

年度傳感器產(chǎn)品、年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品、年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)……安森美(onsemi)一舉入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng)四大獎(jiǎng)項(xiàng)，一起細(xì)數(shù)入圍產(chǎn)品。

2024-11-14 標(biāo)簽：安森美圖像傳感器功率半導(dǎo)體 893 0

功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析

引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵，在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交...

2024-11-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 525 0

Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)

在2024年度全球電子成就獎(jiǎng)的頒獎(jiǎng)典禮上，安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體碳化硅 912 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...

2024-11-08 標(biāo)簽：電源 GaN 功率半導(dǎo)體 1249 0

比亞迪半導(dǎo)、方正微電子、芯聯(lián)集成領(lǐng)銜！國(guó)產(chǎn)SiC突破，主驅(qū)芯片國(guó)產(chǎn)替代起步

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 2024年，國(guó)產(chǎn)SiC模塊上車加速。據(jù)電子發(fā)燒友不完全統(tǒng)計(jì)，2023年公開的國(guó)產(chǎn)SiC車型合計(jì)142款，乘用車76款，僅僅在2...

2024-11-01 標(biāo)簽：比亞迪 SiC 功率半導(dǎo)體 7045 0

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司；?通過(guò)降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上；?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用...

2024-10-31 標(biāo)簽：英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 564 0

英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，國(guó)產(chǎn)器件同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的情況要加劇了？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm，...

2024-10-31 標(biāo)簽：英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 3388 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
LT8705

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