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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術的基礎，也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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企業(yè)增值逾13倍！核力創(chuàng)芯完成首輪2.95億元股權融資
1月17日消息，核力創(chuàng)芯近日完成首輪2.95億元股權融資，企業(yè)增值逾13倍，標志著核力創(chuàng)芯在功率半導體質子輻照領域取得的進展和成績得到資本市場的充分認可。
碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性：...
資料顯示，美蓓亞三美成立于1951年7月，現(xiàn)任會長兼CEO為貝沼由久，業(yè)務內容包括軸承等機械加工品業(yè)務、電子元器件、半導體、小型電機電子設備業(yè)務、汽車零...
瑞薩電子收購Transphorm，加速GaN功率半導體市場布局
全球半導體解決方案的領軍者瑞薩電子近日宣布，已成功完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）的...
東芝在日本新建功率半導體后端生產(chǎn)設施，預計2025年春季投產(chǎn)
近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）宣布，位于日本西部兵庫縣姬路市的半導體工廠已啟動新的功率半導體后端生產(chǎn)設施建設。這一舉措標志著東...
目前汽車業(yè)仍結構性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資...
近日，富樂德披露了一項重大重組預案，計劃通過發(fā)行股份及可轉債的方式，向上海申和等59個交易對方購買江蘇富樂華半導體科技股份有限公司（簡稱“富樂華”）10...
半導體芯科技編譯 來源：Aju Korea Daily 韓國功率半導體材料供應商STI已與南部港口城市釜山合作，計劃于2026年建設一座功率半導體材料工...
2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報名! 以碳化硅與...
2022-12-09 標簽：功率半導體 1317 0
在全球半導體科技日新月異的大背景下，日本旭化成株式會社在功率半導體等應用領域取得了令人矚目的技術突破。該公司近日宣布，其氮化鋁基板技術已實現(xiàn)了可使用面積...
3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，四川樂山高新區(qū)希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用，屆時企業(yè)將新增4個品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實現(xiàn)年銷售...
ROHM開發(fā)出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”
羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業(yè)設備領域，開發(fā)出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2I...
日前，2023慕尼黑華南電子展在深圳盛大舉行。作為全球領先的功率半導體廠商，瑞能半導體憑借優(yōu)異的創(chuàng)新能力以及突出的產(chǎn)品技術實力，在同期舉行的“2023硬...
納微半導體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
IGBT產(chǎn)品預計2026年全球市場規(guī)模約84億美元，年復合增長率7.5%
全球市場競爭格局方面，國外生產(chǎn)商憑借其在半導體行業(yè)的技術領先優(yōu)勢，占據(jù)全球功率器件驅動器主要市場。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年，全球前五名驅動IC生產(chǎn)商...
意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
在近日結束的ISPSD2024征稿評比中，安建半導體憑借其在碳化硅領域的卓越技術實力，成功脫穎而出，榮獲口頭報告機會。此次評比中，口頭報告的錄取率僅為1...
下一代功率半導體行業(yè)的領導者納微半導體近日公布了其截至2023年12月31日的第四季度和全年未經(jīng)審計的財務業(yè)績，數(shù)據(jù)顯示該公司在過去一年中實現(xiàn)了顯著的增長。
功率半導體器件陶瓷基板用氮化鋁粉體專利解析及DOH新工藝材料介紹
摘要：功率半導體器件已廣泛應用于多個戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，而散熱問題是影響其性能、可靠性和壽命的關鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導率等優(yōu)點，被廣泛認為是用于制備...
2024-03-06 標簽：數(shù)據(jù)庫功率半導體半導體器件 1282 0
近日，香港大學先進半導體和集成電路中心張宇昊教授和汪涵教授、美國弗吉尼亞理工大學電力電子研究中心（CPES）東棟教授、酈強教授、Richard Zhan...
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