C語言中申請的堆內(nèi)存能不能自動釋放

C語言中申請的堆內(nèi)存能不能自動釋放？每次都要手動 free 太麻煩，也容易忘記。 學(xué)過 C++ 的同學(xué)，應(yīng)該首先能想到智能指針。 但是這是C語言，沒有類...

2024-11-27 標(biāo)簽：內(nèi)存C語言函數(shù) 513 0

英特爾推出全新MRDIMM高速內(nèi)存

英特爾攜手行業(yè)伙伴，以創(chuàng)新方法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)DRAM模塊內(nèi)存帶寬翻倍，該即插即用的解決方案可釋放至強(qiáng)6性能核處理器潛力。

2024-11-25 標(biāo)簽：處理器英特爾內(nèi)存 911 0

結(jié)構(gòu)體成員的順序會影響結(jié)構(gòu)體的大小嗎

相同的結(jié)構(gòu)體成員，如果把順序調(diào)整一下，會不會影響結(jié)構(gòu)體的大?。?答案是會的，這主要跟字節(jié)對齊有關(guān)。 比如這樣的結(jié)構(gòu)體，前面兩個是 char 類型，后面跟...

2024-11-25 標(biāo)簽：內(nèi)存結(jié)構(gòu)體 560 0

國產(chǎn)瘦客戶機(jī)：開啟高效辦公新時代

在當(dāng)今快節(jié)奏的辦公環(huán)境中，高效、穩(wěn)定、安全的辦公設(shè)備至關(guān)重要。而國產(chǎn)瘦客戶機(jī)憑借其輕便、經(jīng)濟(jì)、易于維護(hù)等特點(diǎn)，成為眾多場景的理想選擇。以高能計(jì)算機(jī)推出的...

2024-11-25 標(biāo)簽：處理器內(nèi)存DDR4 530 0

瑞薩電子發(fā)布全新DDR5 MRDIMM內(nèi)存接口芯片組

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。

2024-11-22 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存瑞薩電子 842 0

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRA...

2024-11-22 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)存DDR4 4649 0

AI將如何改變PC市場格局

AI幾乎已經(jīng)無處不在。每一天，我們都能看到或聽到AI的新進(jìn)展，或者使用由AI驅(qū)動的應(yīng)用。

2024-11-18 標(biāo)簽：PC內(nèi)存硬件 924 0

新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程

嵌入式閃存及其對應(yīng)的離片NOR閃存，在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域（即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲）多年來占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而，隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下，這些...

2024-11-18 標(biāo)簽：嵌入式存儲器內(nèi)存 872 0

佰維存儲發(fā)布LPDDR5X高效能內(nèi)存

近日，佰維存儲正式推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1bnm制程工藝，為旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備帶來了卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢。 LP...

2024-11-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器接收器內(nèi)存 824 0

華邦電子推出第四代低功耗內(nèi)存LPDDR4/4X

全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子正式發(fā)布 LPDDR4/4X 內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列專為最新一代汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，在能效、性能和減少碳排放方面都獲得顯著提升。

2024-11-14 標(biāo)簽：封裝內(nèi)存華邦電子 1018 0

三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

三星電子計(jì)劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。

2024-11-14 標(biāo)簽：三星電子封裝內(nèi)存 859 0

Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項(xiàng)重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，...

2024-11-14 標(biāo)簽：IP內(nèi)存Rambus 935 0

華邦電子推出LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品

全球半導(dǎo)體存儲解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者華邦電子，近日正式推出了其專為最新一代汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列在能效、性能和減少碳排放方面均實(shí)...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝內(nèi)存 963 0

佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存

近日，存儲技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者佰維存儲，正式推出了其最新的高效能內(nèi)存產(chǎn)品——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進(jìn)的1bnm制程工藝，不僅在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新的...

2024-11-13 標(biāo)簽：存儲技術(shù)內(nèi)存佰維存儲 886 0

三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)

近日，三星電子計(jì)劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲...

2024-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝內(nèi)存 1140 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一，包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^，海力士、我們、三星，都在花費(fèi)大量的精力和財(cái)力打造H...

2024-11-12 標(biāo)簽：內(nèi)存美光人工智能 716 0

鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)日媒報道，該公司將在未來三年內(nèi)投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向...

2024-11-11 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存鎧俠 678 0

DMA是什么？詳細(xì)介紹

DMA（Direct Memory Access）是一種允許某些硬件子系統(tǒng)直接訪問系統(tǒng)內(nèi)存的技術(shù)，而無需中央處理單元（CPU）的介入。這種技術(shù)可以顯著提...

2024-11-11 標(biāo)簽：cpu內(nèi)存硬件 1.9萬 0

常見RAM內(nèi)存故障及解決辦法

隨機(jī)存取存儲器（RAM）是計(jì)算機(jī)中不可或缺的組件之一，它負(fù)責(zé)存儲計(jì)算機(jī)運(yùn)行時的數(shù)據(jù)和程序。然而，由于各種原因，RAM可能會出現(xiàn)故障，導(dǎo)致計(jì)算機(jī)性能下降甚...

2024-11-11 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)RAM計(jì)算機(jī) 4204 0