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      標簽　>　內存技術

      內存技術

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      內存技術技術

      DDR4的主要參數(shù)

      DDR4（Double Data Rate 4）作為當前主流的計算機內存技術，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。

      2024-09-04 標簽：計算機DDR4內存技術 8354 0

      深度解析HBM內存技術

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      HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝...

      2024-01-02 標簽：存儲器gpu內存 6915 0

      DDR3和DDR4的技術特性對比

      摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術，為讀者在購買和使用內存產(chǎn)品...

      2023-09-27 標簽：DDR3計算機數(shù)據(jù)中心 4672 0

      內存“思維速度”讓數(shù)據(jù)轉化為價值

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      具體來說，混合云模型選擇將較為輕量的工作負載放入公有云中，憑借虛擬化的技術手段將本地工作負載納入快速部署的“行列”，隨之允許將IT組織內部運營的重點集中...

      2019-03-08 標簽：英特爾云計算內存技術 2928 0

      NVIDIA最強CPU芯片架構——NVIDIA Grace CPU

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      NVIDIA Grace Hopper Superchip將節(jié)能、高帶寬的 NVIDIA Grace CPU 與功能強大的 NVIDIA H100 Ho...

      2023-08-30 標簽：armcpuNVIDIA 2003 0

      深度解析三星內存處理技術（PIM）

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      在Hot Chips 2023上，三星展示了內存技術，內存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲和內存位置傳輸?shù)綄嶋H的計算引擎。

      2023-10-07 標簽：cpuAI內存技術 1803 0

      堆疊封裝技術的類型解析

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      DDR作為一種內存技術正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應用前景廣闊，將對半導體、計算機、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。

      2024-11-05 標簽：芯片半導體封裝 1506 0

      可直接訪問的分離式內存DirectCXL應用案例

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      分離式內存由于可以提升內存利用率而備受關注，現(xiàn)有的分離式內存可以根據(jù)它們如何管理數(shù)據(jù)分為1）page-based和2）object-based。Page...

      2023-10-18 標簽：處理器網(wǎng)絡交換機RDMA 1338 0

      AI服務器的內存接口芯片技術

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      DXG 服務器配備 8 塊 H100 GPU，6400億個晶體管，在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍，可提供 900GB/s 的帶寬。

      2023-12-13 標簽：NVIDIADDR4內存技術 1292 0

      ReRAM能否取代NOR？

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      “與MRAM相比，ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口，”的內存技術專家Jongsin Yun說西門子EDA?！癕RAM需要10層以上的...

      2023-11-22 標簽：存儲器晶體管MRAM 1253 0

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      內存技術資訊

      今日之子-半導體芯片行業(yè)，誰才是C位？

      同樣的食材柿子和雞蛋，你老媽和你老婆能做出兩個味道。頂級的大廚在做料理時，講究的最多的就是食材的新鮮。原材料的好壞，是一道佳肴的核心，此原理適用一切制造...

      2019-07-08 標簽：電子半導體產(chǎn)業(yè)半導體材料 4510 0

      2029年新興記憶體市場200億美元 制造設備收入翻漲33倍

      根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates（Emerging Memories Ramp Up）最新發(fā)布的研究報告...

      2019-07-10 標簽：記憶體內存技術3D Xpoint 3704 0

      三星首次推出 HBM-PIM 技術，功耗降低 71% 提供兩倍多性能

      三星昨日宣布了一項新的突破，面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術，據(jù)介紹，新架構可提供兩倍多的系統(tǒng)性能，并將功耗降低 71%。 在此...

      2021-02-18 標簽：芯片三星電子人工智能 2509 0

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      DDR5內存與DDR4內存性能差異 隨著技術的發(fā)展，內存技術也在不斷進步。DDR5內存作為新一代的內存技術，相較于DDR4內存，在性能上有著顯著的提升。...

      2024-11-29 標簽：大數(shù)據(jù)內存技術DDR5 2246 0

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      美光科技今日宣布，MediaTek Inc. （ 聯(lián)發(fā)科技 ） 已在其全新的 5G 旗艦智能手機芯片天璣 9000 平臺上完成了對美光 LPDDR5X ...

      2021-11-24 標簽：聯(lián)發(fā)科AI美光 2183 0

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      DDR內存的工作原理 DDR（Double Data Rate）內存，即雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器，是一種高速的內存技術。它允許在時鐘周期的上升沿和...

      2024-11-29 標簽：數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)DDR內存 2091 0

      價格暴漲500%，HBM3e市場徹底被引爆

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      內存技術作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。

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      ZRAM 即內存壓縮技術，如圖 2 所示，在系統(tǒng)的物理內存不足時，將系統(tǒng)物理內存的一部分劃分出來作為 ZRAM 分區(qū)，然后把不常用的匿名頁壓縮后放到 Z...

      2022-05-11 標簽：操作系統(tǒng)內存技術OpenHarmony 1379 0

      美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內存解決方案

      美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內存與存儲解決方案的領先供應商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內存解...

      2024-03-05 標簽：gpu美光科技內存技術 1225 0

      三星2025年后將首家進入3D DRAM內存時代

      在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實現(xiàn)性能提升；

      2024-04-01 標簽：DRAM晶體管內存技術 906 0

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      內存技術數(shù)據(jù)手冊

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        基站測試
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      • SDK
        SDK
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        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
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        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉串口調試下載器。
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