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介紹介紹半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步創(chuàng)造了具有晶體管數(shù)量和功能的芯片,這在幾年前是不可想象的。如果沒(méi)有同樣令人興奮的 IC 封裝發(fā)展,就不可能出現(xiàn)我們今天所知道的便攜式電子產(chǎn)品。在更小、更輕和更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢(shì)的推動(dòng)下,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出更小的封裝類(lèi)型。最小的可能封裝將始終是芯片本身的尺寸。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步創(chuàng)造了具有晶體管數(shù)量和功能的芯片,這在幾年前是不可想象的。如果沒(méi)有同樣令人興奮的 IC 封裝發(fā)展,就不可能出現(xiàn)我們今天所知道的便攜式電子產(chǎn)品。在更小、更輕和更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢(shì)的推動(dòng)下,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出更小的封裝類(lèi)型。最小的可能封裝將始終是芯片本身的尺寸。圖 1圖 1說(shuō)明了將 IC 從晶圓變成單個(gè)芯片的步驟。說(shuō)明了將 IC 從晶圓變成單個(gè)芯片的步驟。圖 2圖 2顯示了一個(gè)實(shí)際的芯片級(jí)封裝 (CSP)。顯示了一個(gè)實(shí)際的芯片級(jí)封裝 (CSP)。芯片尺寸封裝的概念在 1990 年代演變而來(lái)。在 1998 年定義的 CSP 類(lèi)別中,晶圓級(jí) CSP 成為各種應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)選擇,從低引腳數(shù)設(shè)備(如 EEPROM)到 ASIC 和微處理器。CSP 設(shè)備采用稱(chēng)為晶圓級(jí)封裝 (WLP) 的工藝制造。WLP 的主要優(yōu)點(diǎn)是所有封裝制造和測(cè)試都在晶圓上完成。WLP 的成本隨著晶圓尺寸的增加和裸片的縮小而下降。作為該技術(shù)的早期采用者,Dallas Semiconductor 于 1999 年開(kāi)始出貨晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品。芯片尺寸封裝的概念在 1990 年代演變而來(lái)。在 1998 年定義的 CSP 類(lèi)別中,晶圓級(jí) CSP 成為各種應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)選擇,從低引腳數(shù)設(shè)備(如 EEPROM)到 ASIC 和微處理器。CSP 設(shè)備采用稱(chēng)為晶圓級(jí)封裝 (WLP) 的工藝制造。WLP 的主要優(yōu)點(diǎn)是所有封裝制造和測(cè)試都在晶圓上完成。WLP 的成本隨著晶圓尺寸的增加和裸片的縮小而下降。作為該技術(shù)的早期采用者,Dallas Semiconductor 于 1999 年開(kāi)始出貨晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品。圖 1. 晶圓級(jí)封裝(簡(jiǎn)化版)最終將單個(gè)芯片與加工后的晶圓分離。圖 1. 晶圓級(jí)封裝(簡(jiǎn)化版)最終將單個(gè)芯片與加工后的晶圓分離。圖 2. 12 凸點(diǎn)芯片級(jí)封裝,3 × 4 凸點(diǎn),其中 2 個(gè)凸點(diǎn)位置未填充。圖 2. 12 凸點(diǎn)芯片級(jí)封裝,3 × 4 凸點(diǎn),其中 2 個(gè)凸點(diǎn)位置未填充。命名法命名法
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