在看到 MOSFET 數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS（ON）、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA 曲線），而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無(wú)用處（比如說(shuō)：開(kāi)關(guān)時(shí)間）。在這個(gè)即將開(kāi)始的博文系列中，我們將試著破解 FET 數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對(duì)于他們的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是最常見(jiàn)的數(shù)據(jù)，而不會(huì)被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來(lái)更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。自從 20 世紀(jì) 80 年代中期在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) （UIS） 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在實(shí)際應(yīng)用中使用 FET 的重復(fù)雪崩，工程師們已經(jīng)學(xué)會(huì)了用這個(gè)度量標(biāo)準(zhǔn)在制定新器件開(kāi)發(fā)方案時(shí)避免那些有可能導(dǎo)致問(wèn)題的脆弱器件。在溫度范圍內(nèi)具有特別薄弱 UIS 能力或者發(fā)生嚴(yán)重降級(jí)的器件（25°C 至 125°C 之間大于 30%）應(yīng)當(dāng)被禁止，因?yàn)檫@些器件會(huì)更容易受到故障的影響。設(shè)計(jì)人員也應(yīng)該對(duì)制造商在額定值上搗鬼，夸大他們的 FET 雪崩能力而感到厭煩。 UIS 測(cè)試由圖 1 中所示的測(cè)試電路執(zhí)行。在 FET 關(guān)閉時(shí)，其上施加了一個(gè)電源電壓，然后檢查器件上是否有泄露。在 FET 接通時(shí)，電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的電流時(shí)，F(xiàn)ET 被關(guān)閉，F(xiàn)ET 上的 Ldi/dt 電壓擺幅在 MOSFET 擊穿電壓之上，從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管，并在 FET 上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項(xiàng)測(cè)試重復(fù)進(jìn)行，電流逐漸增加，直到開(kāi)始的泄漏測(cè)試失敗，表明器件已被損壞。