資料介紹
歡迎場效應(yīng)晶體管(FET)的愛好者們再度光臨,閱讀“了解 MOSFET 產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分!今天,筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在 FET 產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值(IDM)與連續(xù)電流額定值很相似,因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算值。然而,與連續(xù)電流額定值不同的是,IDM 只是作為熱約束條件(從正在標(biāo)準(zhǔn)化的 RθJC 到給定的脈沖持續(xù)時(shí)間以及“絕對最大額定值”表的腳注中明確規(guī)定的占空比)的函數(shù)被計(jì)算出來的。以最近發(fā)布的 CSD17579Q5A 30V N 通道 MOSFET 為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了 105A 的最大脈沖電流額定值,基本條件是脈沖持續(xù)時(shí)間小于或等于 100μs,占空比小于或等于 1%。為確定用于計(jì)算 IDM 的瞬態(tài)熱阻抗,我們將參閱下面圖 1 所示的標(biāo)準(zhǔn)化熱阻抗曲線。如果我們在脈沖持續(xù)時(shí)間為 100μs 時(shí)看 1%的占空比(棕色)線,得到的標(biāo)準(zhǔn)化因數(shù)為 0.12,我們將用它來計(jì)算最大功率,并由此計(jì)算出該器件在這樣的脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比條件下可處理的電流。計(jì)算這個(gè)值要用 0.12 乘以最大直流(DC)RθJC(4.3?C/W),得出的瞬態(tài) ZθJC 為 0.52?C/W。
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