資料介紹
傳統(tǒng)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)型器件,而MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。圖1.1顯示了一個(gè)雙極晶體管。必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極產(chǎn)生電流。圖1.2顯示了一個(gè)MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí),它在漏極中產(chǎn)生一個(gè)電流。MOSFET的柵極由氧化硅層組成。由于柵極與源極絕緣,除了在柵極充電和放電的瞬態(tài)期間,向柵極端子施加DC電壓理論上不會(huì)導(dǎo)致電流在柵極中流動(dòng)。實(shí)際上,這個(gè)門有幾毫微安量級(jí)的微小電流。當(dāng)柵極和源極端子之間沒(méi)有電壓時(shí),除了漏電流之外,沒(méi)有電流在漏極中流動(dòng),因?yàn)槁┰醋杩狗浅8摺?br />
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