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QR反激模式也叫準(zhǔn)諧振反激模式，其實(shí)是DCM的一種，是指磁芯能量完全釋放完畢后，變壓器的初級(jí)電感和MOS的結(jié)電容進(jìn)行諧振，MOS結(jié)電容放電到最低值時(shí)，初級(jí)的開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通。此模式是集DCM的優(yōu)點(diǎn)及大部分缺點(diǎn)于一起，只是將其中的一項(xiàng)缺點(diǎn)做了優(yōu)化從而變成了優(yōu)點(diǎn)。就是加了低谷檢測(cè)功能，改善MOS的開(kāi)通損耗，從而改善效率。實(shí)現(xiàn)這一模式，只是在PWM芯片中增加低谷檢測(cè)功能就可以了，外電路和普通的DCM一樣。此模式就是簡(jiǎn)單是提高了一點(diǎn)效率，但是它也有一個(gè)問(wèn)題，就是在MOS管導(dǎo)通時(shí)，一定要在低谷處，但是不可能總是正好趕在一
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