資料介紹
光刻膠與光刻工藝技術(shù)
微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小
區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形
的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將
其曝露于某種光源下,如紫外光,電子束或X-射線,對(duì)抗蝕層進(jìn)行選擇性的
曝光.完成這項(xiàng)工作需利用光刻機(jī),掩模版,甚至電子束光刻時(shí)的數(shù)據(jù)帶.
曝光后的硅片經(jīng)過顯影工藝就形成了抗蝕劑圖形.顯影后仍保留在硅片上的
抗蝕劑保護(hù)著其所覆蓋的區(qū)域,已去除抗蝕劑的部分必須進(jìn)行一系列增加(如
淀積金屬膜)或去除(如腐蝕)工藝,以將抗蝕圖形轉(zhuǎn)印到襯底表面.
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