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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSR802N-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應(yīng)MOS管

型號: BSR802N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品型號: BSR802N-VB
絲印: VB1330
品牌: VBsemi
參數(shù): 
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: N—Channel
- 最大漏極電壓: 30V
- 最大漏極電流: 6.5A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.2V

應(yīng)用簡介:
BSR802N-VB是一款N—Channel溝道的SOT23封裝場效應(yīng)晶體管。其特點(diǎn)包括在VGS=10V和VGS=20V時的低漏電阻,適用于需要N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管的電路。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:
該產(chǎn)品適用于各種電子設(shè)備和模塊,特別是在需要N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管的電路中。常見應(yīng)用領(lǐng)域包括功率放大器、開關(guān)電源、電源管理等。

請注意: 在使用該產(chǎn)品時,請仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊以確保正確的使用和應(yīng)用。

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