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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SJ360-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT89-3封裝的晶體管

型號(hào): 2SJ360-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT89-3封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):2SJ360-VB

絲印:VBI2658

品牌:VBsemi

封裝:SOT89-3

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **溝道類型(Channel Type):** P—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** -5A
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -60V
- **導(dǎo)通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=1~3V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
2SJ360-VB是一款P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有低漏電流、高漏電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性。其封裝采用SOT89-3標(biāo)準(zhǔn)封裝,適用于各種電子應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **功率放大器模塊:** 由于2SJ360-VB具有較高的漏電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于功率放大器模塊,能夠提供可靠的功率放大功能。

2. **電源管理模塊:** 該器件的P—Channel特性使其在電源管理模塊中表現(xiàn)出色,特別是在負(fù)載開關(guān)和電源開關(guān)應(yīng)用中。

3. **電流控制模塊:** 由于其較高的漏電流和低導(dǎo)通電阻,可用于電流控制模塊,確保在電路中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的電流控制。

4. **低噪聲放大器模塊:** 2SJ360-VB的優(yōu)異性能使其在低噪聲放大器模塊中具有潛在的應(yīng)用,特別是在要求高信噪比的場(chǎng)合。

請(qǐng)注意,具體的應(yīng)用取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)的需求,確保根據(jù)電路設(shè)計(jì)和規(guī)格要求選擇合適的元件。

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