型號(hào): NTS4409NT1G-VB

絲印: VBK1270

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SC70-3
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 20V
- 最大電流: 4A
- 開(kāi)態(tài)電阻: RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 閾值電壓: Vth = 1~3V

封裝: SC70-3

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SC70-3，表明該器件使用SC70-3封裝，具有三個(gè)引腳。
2. **溝道類型 (Channel Type):** N-Channel，指示這是一個(gè)N溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** 20V，說(shuō)明器件能夠正常工作的最大電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** 4A，表示器件能夠承受的最大電流。
5. **開(kāi)態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V，說(shuō)明在特定的柵源電壓下，開(kāi)態(tài)時(shí)的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V，表示在柵源電壓作用下，器件從關(guān)態(tài)切換到開(kāi)態(tài)所需的電壓范圍。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
NTS4409NT1G-VB是一款N-Channel MOSFET，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
1. **電源開(kāi)關(guān):** 由于其N溝道性質(zhì)和較高的額定電流，可用于電源開(kāi)關(guān)和電源逆變器。
2. **電池保護(hù):** 適用于電池管理系統(tǒng)，用于保護(hù)電池免受過(guò)放電和過(guò)充電的影響。
3. **低功耗設(shè)備:** 由于其低額定電壓和低閾值電壓，適用于需要低功耗的電子設(shè)備。
4. **信號(hào)開(kāi)關(guān):** 用于開(kāi)關(guān)信號(hào)線，例如在通信系統(tǒng)中。

請(qǐng)注意，在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及應(yīng)用手冊(cè)，以確保正確的使用和性能。