型號：PHT6N06T-VB
絲印：VBJ1695
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大持續(xù)電流：4A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.53V
- 封裝：SOT223

詳細參數(shù)說明：
PHT6N06T-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有 60V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為 4A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 76mΩ @ 10V 和 85mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.53V。

應(yīng)用簡介：
PHT6N06T-VB 通常用于電源管理、電源開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，特別適用于需要 N 溝道 MOSFET 的電路。SOT223 封裝使其易于集成到小型電子設(shè)備中。這種型號的 MOSFET 可以在各種領(lǐng)域的模塊中使用，如電源逆變器、電源開關(guān)、電池保護電路、移動設(shè)備、電源管理、電源放大器、電動工具和其他低至中功率應(yīng)用。它的低導(dǎo)通電阻和適度的電流承受能力使其在高效率、低功耗應(yīng)用中非常有用。