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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MMBF170-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號: MMBF170-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: MMBF170-VB
絲印: VB162K
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
  - 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設(shè)備中,特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS):60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達(dá)60V的電路。

3. 額定電流 (ID):0.3A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的小電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為2800mΩ,而在4.5V的情況下為3000mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻相對較高,適用于小功率應(yīng)用。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth):1.6V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡介:
這種型號的N溝道MOSFET通常用于小功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. 信號開關(guān):由于其較低的電流和電壓能力,它適用于小功率信號開關(guān)應(yīng)用,例如音頻信號開關(guān)。
2. 電源開關(guān):在低功率電源管理電路中,它可以用于開關(guān)電源以實現(xiàn)能效提升。
3. 信號放大器:它可用于小功率信號放大器的輸入阻抗匹配。
4. 電流源:在小電流源電路中,它可用于穩(wěn)定輸出電流。

總之,這種型號的N溝道MOSFET適用于需要小功率開關(guān)和信號控制的應(yīng)用,但不適用于高功率應(yīng)用,因為其電流和電壓能力有限。

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