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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP2305GN-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號(hào): AP2305GN-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): AP2305GN-VB
絲印: VB2290
品牌: VBsemi
參數(shù): P溝道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -0.81Vth (V)
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
1. 溝道類型:P溝道
  - 這表示這是一種P溝道MOSFET,通常用于需要控制負(fù)電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS):-20V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大負(fù)電壓,表示它適用于需要處理高達(dá)-20V的電路。

3. 額定電流 (ID):-4A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的最大負(fù)電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在4.5V的情況下,它的電阻為57mΩ,而在2.5V的情況下為83mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻相對(duì)較低,有助于減小功耗和熱量。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):12V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)12V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth):-0.81V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
這種型號(hào)的P溝道MOSFET通常用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. 電源開關(guān):這種MOSFET可用于電源開關(guān)模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器,以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電池管理:它可用于電池保護(hù)電路,以控制電池充放電和防止過放電。
3. 電源逆變器:在太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)中,P溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 電源選擇和開關(guān):它可以用于電源選擇器和電源開關(guān),以在不同電源之間切換。

總之,這種型號(hào)的P溝道MOSFET適用于多種領(lǐng)域的電子設(shè)備和模塊,以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求,特別是需要處理負(fù)電壓電源的應(yīng)用。由于其低漏極-源極電阻,適用于高功率應(yīng)用。

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